特許

J-GLOBAL ID：201403054965115712

GaN系III-V族化合物半導体発光素子

発明者： 冨谷 茂隆 ,  後藤 修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238739
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054982
特許番号：特許第5434882号
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaN系化合物半導体からなる障壁層とGaInN層からなる井戸層との量子井戸構造の活性層を有し、発光波長が440nm以上のGaN系III-V族化合物半導体発光素子において、 Alz1Inz2Ga1-z1-z2N障壁層(Al組成z1が0<z1<0.2、In組成z2が0<z2<0.1)とGa1-yInyN井戸層(In組成yが0<y<0.25)の下面もしくは上面もしくはその双方との間に、膜厚0.25nm以上3nm以下のAlx1Inx2Ga1-x1-x2N層(0<x1<0.4、0<x2<y)からなる面状結晶欠陥抑制層が介在し、 面状結晶欠陥抑制層が障壁層と同一の組成から井戸層と同一の組成へと直線的に傾斜する組成分布を有しているGaN系III-V族化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 33/00 186 ,  H01S 5/343 610

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系半導体光発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213412   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308964   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-184136   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-140760   出願人：日亜化学工業株式会社