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J-GLOBAL ID：201502218173231941   整理番号：15A1046780

正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜におけるZr/(Zr+Ti)比のドメイン構造への影響

著者 (10件)： 一ノ瀬大地 (東京工大) ,  中島祟明 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  坂田修身 (東京工大) ,  坂田修身 (NIMS) ,  坂田修身 (SPring-8) ,  山田智明 (名古屋大) ,  山田智明 (JST-PRESTO) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15P-2L-5  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  FeRAM ,  マイクロエレクトロニクス ,  構造 ,  *温度依存性 ,  *構造相転移 ,  依存性 ,  *格子定数 ,  歪 ,  転移温度 ,  測定データ ,  数値 ,  ドメイン構造 ,  計算値 ,  *組成依存性
準シソーラス用語： ジルコン酸チタン酸鉛 ,  強誘電体メモリ ,  実験値 ,  相転移温度

分類 (4件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固相転移  (BL04020G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 正方晶 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  比 ,  ドメイン構造