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J-GLOBAL ID：201602219477494160   整理番号：16A0283967

立体チャネルトランジスタ応用に向けたGaN選択成長の検討

著者 (9件)： 黒岩宏紀 (東京工大) ,  武井優典 (東京工大) ,  高橋言緒 (産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  井手利英 (産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  清水三聡 (産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22A-P6-8  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *選択成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  FET【トランジスタ】 ,  走査電子顕微鏡 ,  ファセット ,  *MOCVD ,  RIE【エッチング】
準シソーラス用語： *FinFET

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 立体 ,  チャネル ,  トランジスタ ,  応用 ,  GaN ,  選択成長