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J-GLOBAL ID：201702221489045916   整理番号：17A1140622

エピタキシャルBiFeO₃薄膜における電場印加下の格子歪

著者 (8件)： 中嶋誠二 (兵庫県大) ,  藤沢浩訓 (兵庫県大) ,  坂田修身 (NIMS/SPring-8) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  清水莊雄 (東京工大) ,  一ノ瀬大地 (東京工大) ,  今井康彦 (JASRI) ,  清水勝 (兵庫県大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-PA6-7  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フェライト ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  エピタクシー ,  誘電体薄膜 ,  *格子歪 ,  *効果 ,  マグネトロンスパッタリング ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  X線回折 ,  経時変化 ,  定数 ,  格子定数 ,  強誘電体 ,  *圧電気 ,  圧電定数
準シソーラス用語： *逆圧電効果 ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  電場印加 ,  格子歪