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J-GLOBAL ID：201802234100782259   整理番号：18A0632797

ワイドギャップ半導体IGZOとZnO中の格子間水素の電子状態

著者 (14件)： 小嶋健児 (KEK 物構研及びJ-PARC MLF) ,  平石雅俊 (KEK 物構研及びJ-PARC MLF) ,  岡部博孝 (KEK 物構研及びJ-PARC MLF) ,  幸田章宏 (KEK 物構研及びJ-PARC MLF) ,  門野良典 (KEK 物構研及びJ-PARC MLF) ,  SUTER Andreas (PSI LMU) ,  PROKSCHA Thomas (PSI LMU) ,  SALMAN Zahar (PSI LMU) ,  大橋直樹 (NIMS) ,  井手啓介 (東京工大) ,  松石聡 (東京工大) ,  神谷利夫 (東京工大) ,  雲見日出也 (東京工大) ,  細野秀雄 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19a-F202-10  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  酸化亜鉛 ,  格子間原子 ,  *水素 ,  電子状態 ,  μSR

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ワイドギャップ半導体 ,  IGZO ,  ZnO ,  格子 ,  水素 ,  電子状態