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J-GLOBAL ID：201902223374122295   整理番号：19A2620213

選択成長法を用いたGaN FinFETの作製

著者 (11件)： 向井勇人 (東京工大) ,  高山研 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-9  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】立体チャネル構造を持つFinFET型のトランジスタは、GaN系デバイスでも従来のHEMTに比較してゲートの制御性や高電流密度でメリットが期待できる[1]。これまでGaN系のFinFETはエッチングでFin構造のチャネルを形成する...【本文一部表示】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  選択成長 ,  フィン ,  半導体薄膜 ,  漏れ電流 ,  チャネル ,  格子欠陥 ,  電流密度 ,  ゲート【半導体】 ,  MOCVD ,  マスク ,  RIE【エッチング】 ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： *FinFET ,  ハードマスク

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 選択成長 ,  GaN ,  FinFET ,  作製