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J-GLOBAL ID：201902240361963794   整理番号：19A0385691

5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減

著者 (23件)： 更屋拓哉 (東大 生産技研) ,  伊藤一夫 (東大 生産技研) ,  高倉俊彦 (東大 生産技研) ,  福井宗利 (東大 生産技研) ,  鈴木慎一 (東大 生産技研) ,  竹内潔 (東大 生産技研) ,  附田正則 (北九州環境エレクトロニクス研) ,  沼沢陽一郎 (明治大) ,  佐藤克己 (三菱電機) ,  末代知子 (東芝デバイス&ストレージ) ,  齋藤渉 (東芝デバイス&ストレージ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  古川和由 (東京工大) ,  渡辺正裕 (東京工大) ,  執行直之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  西澤伸一 (九大) ,  大村一郎 (九州工大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  平本俊郎 (東大 生産技研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 429(SDM2018 81-90)  ページ： 39-44  発行年： 2019年01月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を試作し,ゲート電圧5Vでのスイッチング動作を実証した。かつ,1200Vの耐圧を維持しながら0.1Vのオン電圧低減と33%のターンオフ損失低減を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *スイッチング損失 ,  *動作分析 ,  ゲート回路 ,  スケーリング【計数】 ,  トレンチカット【加工】 ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  二次イオン質量分析 ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• N. Iwamuro, and T. Laska, ′′IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects′′, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.741-752, 2017.
• A. Kopta et al., ′′Next Generation IGBT and Package Technologies for High Voltage Applications′′, IEEE Transaction on Electron Device, vol.64, No.3, pp.753-759, 2017.
• Alex. Q. Huang, ′′Power Semiconductor Devices for Smart Grid and Renewable Energy Systems′′ Proceedings of IEEE, vol.105, No.11 pp.2019-2047, 2017.
• H. Ohashi, ′′Power devices now and future, strategy of Japan′′, Proc. 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Plenary lecture, pp.9-12, Bruges, Belgium, June 2012.
• A. Nakagawa, ′′Theoretical Investigation of Silicon Limit Characteristics of IGBT′′, Proc. 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, pp.5-8, Naples, Italy, June 2006

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  スケーリング ,  IGBT ,  実証 ,  スイッチング損失