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J-GLOBAL ID：202102236122722818   整理番号：21A0840193

圧力誘起相転移を利用した巨大負熱膨張物質の開発

Development of Giant Negative Thermal-Expansion Materials Utilizing Pressure-Induced Phase Transitions

著者 (7件)： 東正樹 (東京工業大学フロンティア材料研究所) ,  東正樹 (神奈川県立産業技術総合研究所) ,  酒井雄樹 (東京工業大学フロンティア材料研究所) ,  酒井雄樹 (神奈川県立産業技術総合研究所) ,  西久保匠 (東京工業大学フロンティア材料研究所) ,  岡研吾 (近畿大学理工学部 応用化学科) ,  山本孟 (東北大学多元物質科学研究所)
資料名： 高圧力の科学と技術  (Review of High Pressure Science and Technology)
巻： 30  号： 3  ページ： 187-194(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： L1386A  ISSN： 0917-639X  CODEN： KKGIE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 負熱膨張(NTE)材料は,半導体製造,光学デバイスおよび正確な位置決めが要求される精密加工の分野で,構造材料の熱膨張の制御に利用されることが期待される。このレビューにおいて,強誘電性-常誘電遷移によって誘起されたPb_1-xBi_xVO₃中の巨大NTEと,金属間化合物電荷移動により誘起されたBiNi_1-xFe_xO₃を議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *相転移 ,  *熱膨張 ,  熱膨張係数 ,  光学素子 ,  金属間化合物 ,  位置決め ,  強誘電性 ,  構造材料 ,  精密加工 ,  電荷移動 ,  *鉛化合物 ,  ビスマス化合物 ,  バナジウム酸塩 ,  *圧力誘起相転移 ,  負の熱膨張係数
準シソーラス用語： 半導体製造 ,  負熱膨張係数

著者キーワード (8件)： 負の熱膨張 ,  圧力誘起相転移 ,  強誘電転移 ,  電荷移動 ,  負の熱膨張 ,  圧力誘起相転移 ,  強誘電転移 ,  電荷移動

分類 (1件)： 相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

引用文献 (23件)：

• [1] 中根慎護: セラミックス, 44, 203 (2009).
• [2] K. Takenaka: Sci. Technol. Adv. Mater., 13, 013001 (2012).
• [3] J. Chen, L. Hu, J. Deng, X. Xing: Chem. Soc. Rev., 44, 3522 (2015).
• [4] T.A. Mary, J.S.O. Evans, T. Vogt, A.W. Sleight: Science, 272, 90 (1996).
• [5] B.K. Greve, K.L. Martin, P.L. Lee, P.J. Chupas, K.W. Chapman, A.P. Wilkinson: J. Am. Chem. Soc., 132, 15496 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： 圧力誘起相転移 ,  負熱膨張 ,  物質 ,  開発