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J-GLOBAL ID：202102241183423904   整理番号：21A0697203

AsおよびBの共ドープによるSi中Asクラスターの特性制御

Control of As clusters in Si by co-doping of As and B

著者 (12件)： 筒井一生 (東京工大) ,  松橋泰平 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  永山勉 (日新イオン機器) ,  樋口隆弘 (日新イオン機器) ,  加藤慎一 (SCREENセミコンダクターソリューションズ) ,  谷村英昭 (SCREENセミコンダクターソリューションズ) ,  室隆桂之 (高輝度光科学研究セ) ,  松下智裕 (奈良先端科学技術大学院大) ,  森川良忠 (大阪大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10p-Z10-8  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]半導体中に高濃度で不純物ドーピングする場合には、不純物クラスター形成の制御が重要となる。我々はこれまで、Si中にドープされたAsについて、光電子ホログラフィー法により、不活性化したAs原子の一部がAsnV(n=2~4)型と呼ばれ...【本文一部表示】

シソーラス用語： アクセプタ ,  エッチング ,  化学結合 ,  結合エネルギー ,  ドナー ,  軟X線 ,  半導体 ,  不純物 ,  *ケイ素 ,  *ヒ素 ,  活性部位 ,  *ドーピング ,  *クラスタ ,  三次元 ,  第一原理計算

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  Si ,  クラスター ,  特性制御