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J-GLOBAL ID：202102250328775731   整理番号：21A2600284

SF₆ガスを用いたサブ大気圧プラズマによるSiC-MOSFETの裏面薄化におけるデバイス性能への影響の調査

著者 (6件)： 大島政明 (大阪大 大学院工学研究科) ,  中西悠真 (大阪大 大学院工学研究科) ,  藤大雪 (大阪大 大学院工学研究科) ,  松山智至 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山内和人 (大阪大 大学院工学研究科) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2021  ページ： 62-63  発行年： 2021年06月30日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： サブ大気圧プラズマを用いたプラズマエッチングをSiCデバイス作製時の裏面薄化工程への適用を提案している.今回,プラズマを用いてSiC-MOSFETの裏面薄化加工を行った際のデバイス性能への影響について調査した.加工前後でMOSFETのCV特性を測定し,測定結果を比較することで裏面薄化工程によるデバイス性能への影響がないことを確認した.(著者抄録)

シソーラス用語： 界面 ,  紫外線 ,  *プラズマ ,  電圧 ,  電場 ,  熱伝導率 ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  小型化 ,  消費電力 ,  プラズマエッチング ,  バンドギャップ ,  半導体プロセス ,  改変

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： SF6ガス ,  サブ ,  大気圧プラズマ ,  SiC ,  MOSFET ,  調査