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J-GLOBAL ID:202502227741615328   整理番号:25A0683832

電子線描画HSQをマスクに用いたBiFe0.9Co0.1O3ナノドットの作製

Fabrication of BiFe0.9Co0.1O3 nanodot array with electron-beam-lithographed HSQ mask
著者 (12件):
資料名:
巻: 71st  ページ: ROMBUNNO.23a-12H-9  発行年: 2024年03月05日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【緒言】我々は次世代の低消費電力不揮発性メモリへの応用を目指し、室温で強誘電・弱強磁性を併せ持つBiFe0.9Co0.1O3(BFCO)を研究している。これまで、プローブ顕微鏡による局所的な電場印加による面直磁化成分の反転の観測に成功した[...【本文一部表示】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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半導体薄膜  ,  原子・分子のクラスタ  ,  トランジスタ  ,  界面の電気的性質一般  ,  Josephson接合・素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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