特許
J-GLOBAL ID：200903038726974090

半導体受光素子

発明者：
深野 秀樹

深野 秀樹 について

, 
村本 好史

村本 好史 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223956
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053328
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 光吸収層を薄くしながらも、高受光感度が得られ高速動作を可能とする。【解決手段】 光受光層14を含む半導体多層構造となっており、光が層厚方向に対して斜めに入射する。光受光層14は、半導体層13,15により挟まれている。光入射側の半導体層15の屈折率は半導体層13の屈折率よりも大きく、半導体層13の屈折率は光受光層14の屈折率よりも小さくなっている。このため、光は光受光層14を透過した後、光受光層14と半導体層13との界面にて全反射して、再び光受光層14を透過する。このため実効的光吸収長が増大し、光吸収層の薄層化が実現できると共に、高受光感度が得られ高速動作が可能となる。
請求項（抜粋）：
光吸収層が前記光吸収層より小さな屈折率を有する第一の半導体層を含む上部半導体層と前記第一の半導体層より屈折率が大きい第二の半導体層を含む下部半導体層で挟まれた積層構造を有し、前記下部半導体層側から入射した入射光が、前記光吸収層を層厚方向に対し斜めに通過し、前記第一の半導体層の前記光吸収層側の界面で全反射し、前記光吸収層を再度斜めに通過することを特徴とする半導体受光素子。
Fターム (9件)：
5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049QA06 ,  5F049QA20 ,  5F049SZ16
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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