特許
J-GLOBAL ID：200903060165067248

半導体電界吸収型変調器およびその製造方法

発明者：
赤毛 勇一

赤毛 勇一 について

, 
深野 秀樹

深野 秀樹 について

, 
斉藤 正

斉藤 正 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113279
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319851
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】変調効率を劣化させることなく、素子内部の温度上昇を抑制する。【解決手段】n-InPクラッド層12、ノンドープInGaAsP光閉じ込め層13、ノンドープInGaAsP光吸収層14、ノンドープInGaAsP光閉じ込め層15、p-InPクラッド層16およびp-InGaAsコンタクト層17からなるメサストライプ構造と半絶縁性InP層18との境界に沿って溝19を形成し、半絶縁性InP層18よりも比誘電率の低い埋め込み材料20を溝19内に埋め込む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
印加電圧に基づいて吸収係数が変化する光導波層と、 前記光導波層を導波する光を横方向に閉じ込める作用が及ぶ領域に局所的に形成された横方向光閉じ込め層とを備えることを特徴とする半導体電界吸収型変調器。
IPC (2件)：
H01S5/50 ,  H01S5/227
FI (2件)：
H01S5/50 630 ,  H01S5/227
Fターム (6件)：
5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA89 ,  5F073AB21 ,  5F073CA12 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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