半導体光デバイス及び集積型光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259141
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069153
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】リッジ型半導体光デバイスにおいて高速性と高信頼性を併せ持つ構造を実現する。【解決手段】本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。導電阻止構造は、例えば、溝或いは半導体に不純物がイオン注入された構造により達成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層領域と、活性層領域と、前記活性層領域の上部に形成され且つ光の進行方向に長手方向を有する第2導電型の第2のクラッド層領域を含む領域と、前記第1のクラッド層領域側の第1の電極と、前記第2のクラッド層領域を含む領域側の第2の電極と、を少なくとも有し、前記第2のクラッド層領域を含む領域は、その両側に当該第2のクラッド層領域を含む領域の長手方向と並存する長手方向を有する第1及び第2の半導体領域が少なくとも配され、且つ前記第2のクラッド層領域を含む領域は、前記第2のクラッド層領域を含む領域の長手方向と並存する長手方向を有する第1及び第2の各半導体領域との間の双方に、前記活性層領域に達しない空間が存在し、前記各空間の前記活性層領域側の底面の所望位置で、且つ前記活性層領域を含む半導体積層体側に、半導体層の層面に沿った方向の導電性を阻止する領域を少なくとも有し、前記第2の電極は、前記第2のクラッド層領域を含む領域より前記第1及び第2の半導体領域の内の少なくとも一方の上に延在し、且つ前記第2のクラッド層領域を含む領域の光の進行方向に沿う各側面と、この各側面から前記導電性を阻止する領域の側面との最短の間隔が2μm以上且つ10μmを超えないことを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (6件)：

H01S 5/223 , G02B 6/122 , G02F 1/017 , G02F 1/025 , H01S 5/026 616 , H01S 5/34

FI (6件)：

H01S 5/223 , G02F 1/017 , G02F 1/025 , H01S 5/026 616 , H01S 5/34 , G02B 6/12 B

Fターム (23件)：

2H047KA05 , 2H047LA03 , 2H047MA07 , 2H047NA04 , 2H047NA08 , 2H047PA24 , 2H047QA02 , 2H047RA08 , 2H047TA00 , 2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079DA16 , 2H079EA07 , 2H079EB04 , 2H079JA07 , 2H079KA18 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB21 , 5F073CA12 , 5F073CA15 , 5F073EA14

引用特許：

審査官引用 (15件)

リッジ導波路型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-359504 出願人：沖電気工業株式会社
半導体レーザ装置および短波長レーザ光源
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-205487 出願人：富士写真フイルム株式会社
リッジ導波型光半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-028118 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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