特許
J-GLOBAL ID：201103095460611584

半導体電界吸収型変調器およびその製造方法

発明者：
赤毛 勇一

赤毛 勇一 について

, 
深野 秀樹

深野 秀樹 について

, 
斉藤 正

斉藤 正 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人日栄国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113279
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319851
特許番号：特許第4357866号
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 印加電圧に基づいて吸収係数が変化する光吸収層を含むメサストライプ構造が形成された半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、前記メサストライプ構造を埋め込む半絶縁性の半導体層と、 前記メサストライプ構造と前記半絶縁性の半導体層との境界に沿って形成された溝内に、前記半絶縁性の半導体層よりも比誘電率が低い低誘電率絶縁材料が埋め込まれ、前記光吸収層を導波する光を横方向に閉じ込めるとともに、前記光吸収層で発せられる熱を前記半絶縁性の半導体層に熱伝導させる領域と、 光入射端側において前記光吸収層上から前記低誘電率絶縁材料が埋め込まれた領域上を通って前記半絶縁性の半導体層上に至るように延伸され、さらに前記溝に沿って前記半絶縁性の半導体層上の一部を覆うように形成され、前記光吸収層に電圧を印加するとともに、前記光吸収層で発せられる熱を前記メサストライプ構造の上部から前記半絶縁性の半導体層へ熱伝導させる電極と、 を備えることを特徴とする半導体電界吸収型変調器。
IPC (2件)：
H01S 5/50 ( 200 6.01) ,  H01S 5/227 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01S 5/50 630 ,  H01S 5/227
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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