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J-GLOBAL ID：201302293300559885   整理番号：13A0539377

表面-賦活化結合を用いたp-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性

Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding

著者 (6件)： LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MIYAZAKI Tatsuya (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MORIMOTO Masashi (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIDA Shota (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Noriyuki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 2  ページ： 021801.1-021801.3  発行年： 2013年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流-電圧(I-V)と静電容量-電圧(C-V)特性を測ることによって表面-賦活化結合(SAB)を用いて作ったp-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性を研究した。 I-V特性は,整流特性を示した。C-V測定から得た平坦バンド電圧は,およそ1.6Vであった。場-放出走査電子顕微鏡と,エネルギー分散型X線分光法を使った観察 はインタフェイスで構造上の欠損も酸化物層も明らかにしなかった。これらの結果は, SABに基づくSi/GaAsヘテロ接合が新しいデバイスを作るのに適用できることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  活性化 ,  電流電圧特性 ,  静電容量 ,  整流 ,  X線分光分析

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (19件)：

• HOBART, K. D. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1095
• ABE, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1990, 29, L2311
• MASZARA, W. P. J. Appl. Phys. 1988, 64, 4943
• ZHOU, Y. C. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2337
• WADA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 1383

タイトルに関連する用語 (3件)： 賦活化 ,  ヘテロ接合 ,  電気特性