- 2019 - 2024 強誘電体の素励起コヒーレント状態を用いた物性評価方法の確立とデバイスへの展開
- 2020 - 2023 強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築
- 2016 - 2018 強誘電分極を用いたコヒーレント光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生と電場増強
- 2012 - 2016 強誘電体を用いた巨大分極接合界面のサイエンスとそのパワーエレクトロニクス応用
- 2009 - 2011 電気多重極子を利用した超高密度強誘電体ゲート不揮発性論理演算素子の創製
- 2010 - 2010 電子強誘電体を利用した高効率太陽電池の開発指導原理構築
- 2000 - 2010 磁性半導体と磁性強誘電体の接合を用いた新規な強誘電体ゲートトランジスタの開発
- 1990 - 2010 新規な半導体不揮発性ナノデバイスの開発
- 2009 - 2009 革新的半導体低温プロセス:液中プラズマアシスト電気化学成長プロセスの開発
- 2004 - 2006 非鉛強誘電体エピタキシャル薄膜における電界誘起相転移を用いた巨大圧電応答
- 2002 - 2006 強磁性を有する強誘電体とSi系希薄磁性半導体の接合を用いた新規な電界効果型素子
- 2005 - 2005 強誘電体ゲート型カーボンナノチューブFETによる新規不揮発性メモリの開発
- 2004 - 2005 希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
- 2004 - 2004 強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用
- 2003 - 2003 希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現
- 2000 - 2003 新強誘電体薄膜の探索
- 2001 - 2002 超構造制御によるSi中での磁気輸送異常温度の上昇を目指した研究
- 1999 - 2000 Si中でのf電子系金属の分散状態の制御とその磁性・輸送現象に及ぼす影響
- 1998 - 2000 次世代不揮発性メモリー実用化のための界面還元修飾法の応用
- 1998 - 1999 Si中でのf電子系金属の分散状態の制御とその磁性・輸送現象に及ぼす影響
- 1996 - 1998 歪系分子線成長の二次元-三次元転移機構の走査電子顕微鏡その場観察による解明
- 1996 - 1997 新物質YMnO_3と界面修飾法を用いた強誘導体不揮発性メモリー(MFS)の実用化
- 1994 - 1994 シリサイド化反応における希土類元素の配位の効果
- 1993 - 1993 エピタキシャル方位制御を基本思想とする強誘電体の薄膜化による物性変化と高機能化
- 1993 - 1993 弾性歪、界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的、実験的解析-3
- 1992 - 1992 弾性歪・界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的・実験的解析-2
- 1990 - 1992 新しい発想に基く希土類金属を添加したULSI電極配線用Al合金の開発に関する研究
- 1991 - 1991 弾性歪,界面歪拘束系におけるエピタキシャル成長メカニズムの理論的,実験的解析
- 1990 - 1990 弾性歪エネルギ-,界面エネルギ-のULSIプロセスへの影響
- 1985 - 1987 Siデバイスにおける拡散バリアとしての遷移金属ナイトライドに関する研究
- Development of novel nano nonvolatile devices
全件表示