研究者
J-GLOBAL ID:200901039554254529   更新日: 2017年02月23日

足立 聡

アダチ サトシ | Adachi Satoshi
所属機関・部署:
職名: 主任研究開発員
研究分野 (2件): 結晶工学 ,  プラズマ科学
研究キーワード (10件): 結晶成長シミュレーション ,  半導体結晶成長 ,  クーロン結晶 ,  ダストプラズマ ,  プラズマ物理 ,  Crystal Growth Simulation ,  Semiconductor Crystal Growth ,  Coulomb Crystal ,  Dusty Plasmas ,  Plasma Physics
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2013 - 2017 自発形成するクーロン結晶における粒子温度と結晶欠陥に関する研究
  • 2006 - 2014 ダストプラズマにおける臨界現象
  • 2006 - 2012 Critical Point Phenomena in Dusty Plasmas
  • 2000 - 2010 化合物半導体結晶成長シミュレーション
  • 2000 - 2010 Numerical Simulation of Crystal Growth of Compound Semiconductor
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学位 (1件):
  • 工学博士 (筑波大学大学院)
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