井上公

イノウエイサオ | Inoue Isao

所属機関・部署：
職名：上級主任研究員
ホームページURL (1件)： https://sites.google.com/view/isao/

研究分野 (1件)：磁性、超伝導、強相関系

研究キーワード (21件)：単結晶育成 , 量子臨界点 , 超伝導 , パリレン , SrTiO3 , アトラクタ , ニューロモルフィック , 人工シナプス , 人工ニューロン , メモリスタ , 抵抗変化メモリ (RRAM) , 電界効果トランジスタ (FET) , フェルミオロジー , 量子振動 , 酸素同位体効果 , 酸素欠損 , 遷移金属酸化物 , 高エネルギー分光 , 有効質量 , モット転移 , 強相関電子系

競争的資金等の研究課題 (10件)：

2018 - 2023 金属絶縁体転移周辺の異常な物理現象の理解とニューロモルフィック素子開発の協奏
2015 - 2018 モット絶縁体の単結晶薄膜を制御してモットFETのプロトタイプを作る
2015 - 2018 強相関電子系の電界効果とモットFETのプロトタイプ開発
2013 - 2017 固体ゲート絶縁体を利用した電界効果による強相関酸化物の電子相制御
2013 - 2016 ハイブリッド固体ゲート絶縁膜を用いた新奇なモットトランジスタの開発

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論文 (84件)：

Xiangyu Chen, Zolboo Byambadorj, Takeaki Yajima, Hisashi Inoue, Isao H. Inoue, Tetsuya Iizuka. CMOS-based area-and-power-efficient neuron and synapse circuits for time-domain analog spiking neural networks. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2023. 122. 7
Yasuhide Tomioka, Naoki Shirakawa, Keisuke Shibuya, Isao H. Inoue. Enhanced superconductivity close to a non-magnetic quantum critical point in electron-doped strontium titanate. Nature Communications. 2019. 10. 1
P. Stoliar, A. Schulman, A. Kitoh, A. Sawa, I. H. Inoue. STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2018. 36.4.1-36.4.4
STOLIAR Pablo, SCHULMAN Alejandro, KITOH Ai, SAWA Akihito, INOUE Isao H. Invited Talk: STDP Synapse with Outstanding Stability based on a Novel Insulator-to-2D-Metal Transition FET (シリコン材料・デバイス)--(先端 CMOS デバイス・プロセス技術 (IEDM 特集)). 電子情報通信学会技術研究報告= IEICE technical report: 信学技報. 2018. 117. 427. 17
Schulman Alejandro, Stoliar Pablo, Kitoh Ai, Rozenberg Marcelo, Inoue Isao H. Solid-gate control of insulator to 2D metal transition at SrTiO3 surface. APS Meeting Abstracts. 2017

MISC (78件)：

Alejandro Schulman, 鬼頭愛, Pablo Stoliar, Marcelo Rozenberg, 井上公. 絶縁体/2次元金属相転移を用いてニューロモルフィック素子を作ろう. 日本物理学会講演概要集. 2017. 72. 0. 1988-1988
Neeraj Kumar, Alejandro Schulman, 鬼頭愛, Pablo Stoliar, 井上公. SrTiO₃単結晶(100)面の金属化に伴う負の静電容量の出現. 日本物理学会講演概要集. 2016. 71. 0. 2200-2200
井上公. RRAMの原理はどこまで理解できたのか?. 日本物理学会誌. 2015. 70. 11. 814-823
浅沼周太郎, 島久, 山田浩之, 井上公, 赤穗博司, 秋永広幸, 澤彰仁. HfO₂ゲート酸化膜を用いた強相関酸化物(Nd,Sm)NiO₃の電子相制御. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2013. 60th. ROMBUNNO.28A-F2-4
富岡泰秀, 伊藤利充, 井上公. 20aPS-89 層状金属間化合物Bi_2Te_3のキャリア制御と輸送特性(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)). 日本物理学会講演概要集. 2010. 65. 0. 540-540

特許 (18件)：

学歴 (2件)：

1990 - 1992 東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
1986 - 1990 東京大学理学部物理学科

学位 (1件)：

博士(理学) (東京大学)

経歴 (5件)：

2022/10 - 現在国立研究開発法人産業技術総合研究所上級主任研究員
2022/02 - 現在筑波大学数理物質系教授
2001/04 - 2022/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所主任研究員
1998/11 - 2001/03 電子技術総合研究所電子基礎部主任研究官
1992/04 - 1998/10 電子技術総合研究所電子基礎部研究官

委員歴 (4件)：

2018/04 - 現在 National Institute of Science and Technol- ogy Policy, MEXT Experts Committee Member
2018/04 - 現在文科省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター専門調査員
2011/07 - 2013/06 National Personnel Authority Experts Committee Member
2011/07 - 2013/06 人事院国家公務員試験専門委員

所属学会 (2件)：

日本神経回路学会 , 日本物理学会

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