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J-GLOBAL ID：200901045068672815   更新日: 2024年01月30日

中込 真二

ナカゴミ シンジ | Nakagomi Shinji
クリップ
所属機関・部署：
石巻専修大学 理工学部 情報電子工学科

石巻専修大学 理工学部 情報電子工学科 について


職名： 教授
研究分野 (5件)： 電子デバイス、電子機器 ,  応用物理一般 ,  薄膜、表面界面物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (5件)： 金属酸化物 ,  NiO ,  SiC ,  ガスセンサデバイス ,  Ga2O3
競争的資金等の研究課題 (5件)：
  • 2022 - 2025 全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合ダイオードの特性改善
  • 2017 - 2021 全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合作製のための基盤技術開発
  • 1993 - 1995 受・発光負性抵抗スイッチング素子の開発研究
  • 金属酸化物薄膜を用いたセンサ素子、SiCに基づくガスセンサデバイス、ワイドバンドギャップ半導体薄膜の成膜法の開発
  • Gas sensor device based on SiC
論文 (63件)：
  • Shinji Nakagomi. Ultraviolet Photodetector Based on a Beta-Gallium Oxide/Nickel Oxide/Beta-Gallium Oxide Heterojunction Structure. Sensors. 2023. 23. 19. 8332-8332
  • Yoshihiro Kokubun, Masato Koyanagi, Shinji Nakagomi. Magnesium Diffusion from MgO Substrates in Sol-Gel-Derived NiO Epitaxial Films: Effects of Heat Treatment Temperature and Li Doping. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2021. 258. 10
  • Yoshihiro Kokubun, Shinji Nakagomi. Electrical Conductivity Studies in Sol-Gel-Derived Li-Doped NiO Epitaxial Thin Films. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2020. 257. 12
  • Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun. Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga2O3 Substrates. Phys. Status Solidi B. 2020. 257. 5. 1900669
  • Shinji Nakagomi, Takashi Yasuda, Yoshihiro Kokubun. Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga2O3 Substrates. Physica Status Solidi B, 257, 1900669. 2020. 257. 1900669
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MISC (42件)：
  • 中込 真二, 安田 隆, 國分 義弘. (001) β-Ga2O3基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2019. 2019.1. 3630-3630
  • 中込 真二, 菊地 賢太郎, 矢野 浩司, 國分 義弘. NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードのスイッチング応答の温度依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2018. 2018.2. 3071-3071
  • 中込 真二, 佐々木 光, 目黒 真也, 國分 義弘. NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2018. 2018.1. 4113-4113
  • 中込 真二, 安田 隆, 國分 義弘. (111) MgO基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2017. 2017.2. 3897-3897
  • 中込 真二, 久保 匠平, 國分 義弘. NiO/β-Ga2O3ヘテロ接合ダイオードの電流-電圧特性の温度依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2017. 2017.1. 3938-3938
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特許 (2件)：
  • ガス中の水分量測定装置
  • 半導体へテロ接合結晶成長方法
書籍 (5件)：
  • 高温動作が可能な電界効果型ガスセンサ, 中込真二
    先進化学センサ、電気化学会・化学センサ研究会編、ティー・アイ・シー、, pp120-124 2008
  • Gas Sensor Device Based on Catalytic Metal-Metal Oxide-SiC Structure, S. Nakagomi, A. Lloyd Spetz
    Encyclopedia of Sensors, Eds. C. A. Grimes, E. C. Dickey and M. V. Pishko, AMERICAN SCIENTIFIC PUBLISHERS, California)(その他、)4/,155-170 2006
  • Gas Sensor Device Based on Metal-Insulator-Silicon carbide-Junction-FET, S. Nakagomi, S. Savage, A. Lloyd Spetz
    Encyclopedia of Sensors, Eds. C. A. Grimes, E. C. Dickey and M. V. Pishko, AMERICAN SCIENTIFIC PUBLISHERS, California,(その他)4/,171-192 2006
  • High Temperature SiC-FET chemical gas sensors
    “Advances in Silicon Carbide Processing and Application”, eds. S. E. Saddow and A. Agarwal, (Artech house) 2004
  • High Temperature SiC-FET chemical gas sensors
    “Advances in Silicon Carbide Processing and Application”, eds. S. E. Saddow and A. Agarwal, (Artech house) 2004
Works (2件)：
  • SiCに基づくガスセンサデバイス
    1997 -
  • Gas Sensor device based on SiC
    1997 -
学歴 (2件)：
  • - 1984 東北大学 工学研究科 電子工学
  • - 1978 山梨大学 工学部 電子工学
学位 (1件)：
  • 工学博士
経歴 (3件)：
  • 1984 - 1989 (財)半導体研究振興会半導体研究所 研究員
  • 1984 - 1989 Semiconductor Research Fundation,
  • Semiconductor Research Institute, Researcher
委員歴 (1件)：
  • 1999 - 2022 電気化学会 化学センサ研究会 委員
受賞 (1件)：
  • 1997 - 第7回トーキン科学技術振興財団研究奨励賞
所属学会 (3件)：
電気学会 ,  電気化学会 化学センサ研究会 ,  応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

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