研究者

J-GLOBAL ID：200901061495752779 更新日: 2022年08月31日

大石正和

オオイシマサカズ | Ohishi Masakazu

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (2件)：結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (2件)：エピタキシャル成長 , epitaxial growth / II-VI compounds / quantum dots

競争的資金等の研究課題 (10件)：

2000 - 2002 II-VI族化合物量子ドットの成長過程と基礎物性の研究
1995 - 1997 高温分子線を用いた高品質硫化亜鉛薄膜の低温成長と電導性制御
1995 - 1997 高飽和蒸気圧をもつII,VI族元素用分子線エピタキシ装置の開発
1990 - 1992 発光相関法による短波長領域フェトム秒光パルスの時間幅測定法の開発
1990 - 1991 光物性によるワイドギャップIIーVI族化合物のエピタキシャル成長の研究

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論文 (77件)：

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MISC (63件)：

Molecular beam epitaxial growth of GaN using anmonia cluster ion beam as a nitorogen source (共著). phys. stat. sol. 2004. c1, 2478-2482
Annealing effects of high-quality ZnTe substrates (共著). J. Electronic Materials. 2004. 33, 570-582
Photoluminescence of CdSe quantum dots grown on tilted ZnSe/GaAs(100)(共著). phys. stat. sol. 2004. c1, 763-766
Chemical Etching-induced defects in n-type ZnSe crystal grown by physical vapor transport (共著). physica status solidi (c). 2003. 0, 635-639
Impurity levels of high quality P-doped ZnTe single crystal (共著). physica status solidi (c)F. 2003. 0, 631-634

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学位 (1件)：

理学博士 (広島大学)

所属学会 (3件)：

応用物理学会 , The physical society of Japan (Japan) , The Japan Society of Applied Physics

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