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研究者
J-GLOBAL ID:200901091623429583   更新日: 2025年02月17日

佐野 伸行

サノ ノブユキ | SANO Nobuyuki
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 数理物理、物性基礎 ,  計算科学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (10件): デバイスシミュレーション ,  非平衡グリーン関数法 ,  散乱理論 ,  モンテカルロ法 ,  深層学習 ,  デバイス物理 ,  電子デバイス ,  ナノテクノロジー ,  量子電子輸送 ,  非平衡統計物理
競争的資金等の研究課題 (29件):
  • 2022 - 2025 局所的ポテンシャル揺らぎを反映する微視的手法によるナノデバイスシミュレータの構築
  • 2021 - 2025 荷電粒子の離散性と生成再結合を導入した自己無撞着モンテカルロシミュレーションに関する研究
  • 2019 - 2020 ナノデバイス􏰃物理モデリング・デバイスシミュレーション
  • 2019 - 2020 ナノデバイス
  • 2018 - 2020 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創生
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論文 (182件):
  • Sano, Nobuyuki, Yoshida, Katsuhisa, Tsukahara, Kohei, Park, Gyutae. Fundamental Aspects of Semiconductor Device Modeling Associated With Discrete Impurities: Nonequilibrium Green’s Function Scheme. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2025. 72. 1. 24-30
  • Sano, Nobuyuki. Nonequilibrium Green's Function Formalism Applicable to Discrete Impurities in Semiconductor Nanostructures. arXiv:2501.17285 [cond-mat.mes-hall]. 2025. 1-13
  • Sano, Nobuyuki. Shallow p-n Junctions under Discrete Impurities in Semiconductor Devices. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2024. ED-71. 965-970
  • Sano, Nobuyuki. Self-Consistent Monte Carlo Device Simulation of Capture-Excitation Processes of Carrier. 2023 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2023). 2023. 1-4
  • 佐野, 伸行. 半導体デバイスモデリング講座. ソニー特別講義. 2022
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MISC (6件):
  • 鈴木 東, 吉田 勝尚, 佐野 伸行. a-Si p-i-n太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 296. 59-64
  • S.-i. Abe, Y. Watanabe, N. Shibano, N. Sano, H. Furuta, M. Tsutsui, T. Uemura, T. Arakawa. Neutron-Induced Soft Error Analysis in MOSFETs from a 65nm to a 25 nm Design Rule using Multi-Scale Monte Carlo Simulation Method. Proc. IEEE International. Reliability Physics Symp. 2012. SE.3.1-SE.3.6
  • S. Abe, Y. Watanabe, N. Shibano, N. Sano, H. Furuta, M. Tsutsui, T. Uemura, T. Arakawa. Multi-scale Monte Carlo simulation of soft errors using PHITS-HyENEXSS code system. 12th Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS). 2011. 390-395
  • 山田達也, 三瀬信行, 松木武雄, 栄森貴尚, 奈良安雄, 佐野伸行. MOSFETゲート電極内仕事関数エンジニアリングによるしきい値電圧調整. 応用物理学関係連合講演会講演予稿集. 2007. 54th. 2. 943
  • 榎木 孝知, 佐野 伸行, 富沢 雅彰. InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 1994. 94. 231. 9-16
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書籍 (9件):
  • 2016 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS 2016)
    IEEE 2016 ISBN:9781467386098
  • TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS
    TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2011
  • 2009 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING
    IEEE 2009 ISBN:9781424456390
  • PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1
    WILEY-V C H VERLAG GMBH 2008
  • 2007 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE RESEARCH SYMPOSIUM, VOLS 1 AND 2
    IEEE 2007 ISBN:9781424418916
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講演・口頭発表等 (24件):
  • キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着 モンテカルロデバイスシミュレーション
    (シリコン材料・デバイス(SDM)研究会集会)
  • Self-Consistent Monte Carlo Device Simulation of Capture-Excitation Processes of Carrier
    (2023 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2023))
  • 半導体デバイスにおける物理モデリングとシミュレーションの現状とその意味
    (ソニー 講演会)
  • 不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ~半導体ナノ構造でのランダム不純物~
    (電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会集会 2019)
  • Effect of the double grading on the electric field and the generation rate in Cu(In,Ga)Se2 solar cells
    (The 29th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC29) 2019)
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学歴 (2件):
  • - 1988 米国Auburn大学大学院 物理学研究科 理論物理学
  • 1982 - 1983 筑波大学大学院 物理学研究科 物理学
経歴 (5件):
  • 2007 - 現在 筑波大学 物理工学域 教授
  • 2019 - 2019 イタリア モデナ・レッジョ-エミリア大学 物理学科 招聘教授
  • 2002 - 2007 筑波大学 物理工学系 助教授
  • 1995 - 2002 筑波大学 物理工学系 講師
  • 1988 - 1995 日本電信電話(株) 厚木電気通信研究所 研究員
委員歴 (16件):
  • 2006 - 現在 HCIS プログラム委員、実行委員
  • 2003 - 現在 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 常任理事
  • 2001 - 現在 文部科学省 科学技術動向調査研究センタ 専門調査員
  • 2000 - 現在 編集委員
  • 2000 - 現在 編集委員
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受賞 (2件):
  • 1992 - 日本電信電話株式会社 研究所所長表彰
  • 1988 - Outstanding Research Award (Auburn University)
所属学会 (2件):
IEEE ,  American Physical Society
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