研究者
J-GLOBAL ID:200901099911212310
更新日: 2020年08月28日
柏倉 隆之
カシワクラ タカユキ | Kashiwakura Takayuki
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所属機関・部署:
宇都宮大学 工学部 電気電子工学科
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職名:
准教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
宇都宮大学
工学部 准教授
研究分野 (1件):
薄膜、表面界面物性
研究キーワード (8件):
X線分光
, ナノ構造
, 界面
, 薄膜
, X-ray analysis
, Nano-structure
, Interface
, Thin film
競争的資金等の研究課題 (6件):
2002 - すれすれ入射電子線励起X線発光分光によるナノ薄膜の非破壊分析
2002 - Non-destructive chemical state analysis of thin films by grazing incidence electron-induced x-ray emission spectroscopy
2000 - Si基板上における希土類シリケート超薄膜の作製
2000 - Formation of rare earth silicate ultrathin films on Si substrates.
すれすれ入射電子線励起X線発光分光による磁性体ナノ粒子の非破壊状態分析
Non-destructive chemical state analysis of magnetic nano-clusters by grazing incidence electron-induced x-ray emission spectroscopy
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MISC (15件):
電子線励起軟X線発光分光によるSi酸化物/Si界面の評価. 第50回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集No.2. 2003. p. 705
Ceシリサイドの熱酸化によるCeシリケート薄膜の作製. 第49回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集No.2. 2002. p. 624
Deposition of Manganese Oxide Films on Stainless Steel by a Reactive Evaporation (jointly worked). Transactions of Materials Research Society of Japan. 2002. 27,4, pp. 799-802
Resonant L
α
X-ray Raman Scattering Spectra of CeF
3
, CeO
2
and CeB
6
(jointly worked). Surface Review and Letters. 2002. 9, 2, pp. 1059-1064
反応性蒸着法によるCeO
2
薄膜のSi基板上への作製. 第48回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集No.2. 2001. p. 634
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学歴 (4件):
- 1994 東北大学 理学研究科 物理学
- 1994 東北大学
- 1989 東北大学 理学部 物理第2学科
- 1989 東北大学
学位 (2件):
博士(理学) (東北大学)
理学修士 (東北大学)
経歴 (2件):
1994 - 2003 宇都宮大学工学部 助手
1994 - 2003 Research Associate, Faculty of Engineering, Utsunomiya University
所属学会 (3件):
応用物理学会
, 日本放射光学会
, 日本物理学会
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