研究者
J-GLOBAL ID：201601002222058488   更新日: 2024年04月04日

黒澤 昌志

クロサワ マサシ | Kurosawa Masashi
所属機関・部署：
名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学

名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 について


職名： 准教授
研究分野 (2件)： 結晶工学 ,  電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (39件)：
  • 2024 - 2029 14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング
  • 2024 - 2029 Beyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発(技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)の組合員として参画)
  • 2024 - 2027 14族ナノシートに関する総括的研究
  • 2024 - 2027 14族ナノシートの合成
  • 2024 - 2027 14族ナノシート科学の創成(領域代表)
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論文 (139件)：
  • S. Koike, R. Yanagisawa, L. Jalaber, R. Anufriev, M. Kurosawa, T. Mori, M. Nomura. Planar-type SiGe thermoelectric generator with double cavity structure. Applied Physics Letters. 2024. Vol. 124, Issue 12, pp. 123902-1〜6
  • S. Shibayama, K. Takagi, M. Sakshita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka. Ge1-xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 oC and in-situ Sb doping. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. Vol. 176, pp. 108302-1〜8
  • T. Maeda, H. Ishii, W. H. Chang, S. Zhang, S. Shibayama, M. Kurosawa, O. Nakatsuka. Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. Vol. 176, pp. 108304-1〜7
  • S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, R. Jha, N. Tsujii, T. Mori, M. Nomura. Effect of nanostructuring on thermoelectric performance of SiGe thin films. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. Voi. 62, No. 9, pp. 095001-1〜4
  • K. Hashimoto, S. Shibayama, K. Asaka, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka. Self-organized Ge1-xSnx quantum dots formed on insulators and their room temperature photoluminescence. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. Vol. 62, No. 7, pp. 075506-1〜8
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特許 (4件)：
  • 半導体薄膜の形成方法
  • 半導体結晶の製造方法、半導体結晶および半導体デバイス
  • 半導体薄膜の形成方法
  • 半導体結晶,その製造方法,及び多層膜構造体
書籍 (1件)：
  • 共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術
    「ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線」-二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開-(柚原淳司 監修), エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436575
講演・口頭発表等 (501件)：
  • Pドープ/Bドープナノ結晶Si/アモルファスSi複合薄膜の熱電デバイス応用
    (第71回応用物理学会春季学術講演会)
  • ダブルキャビティ構造を有するSiGe平面型熱電素子
    (第71回応用物理学会春季学術講演会)
  • GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
    (第71回応用物理学会春季学術講演会)
  • In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成
    (第71回応用物理学会春季学術講演会)
  • 真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化
    (第71回応用物理学会春季学術講演会)
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Works (7件)：
  • 学術変革領域研究(A)2.5次元物質科学:公募班メンバー特別対談7がニュースレター(第21号)に掲載されました。
    ライター, 柏田百代 2023 - 2023
  • 応用物理学会秋季学術講演会 注目講演プレスレスリリース「先端ロジック半導体の性能向上を握る層状物質の探索 シリカン(SiH)の成膜法開発で新たな一歩を記す」
    2023 - 2023
  • 月刊誌 Yano E plusでIV族元素による新奇二次元物質に関する研究成果が紹介されました。
    株式会社矢野経済研究所 2023 - 2023
  • アプリケーションノート:周波数領域サーモリフレクタンス法を用いたアモルファス Ge1-xSnx 薄膜の熱伝導率の測定
    サイエンスエッジ株式会社 2023 - 2023
  • PRESS RELEASE: Large, Good-quality, Monatomic Sheets of Germanene Grown Simply Using Annealing - A Step Closer to the Future of Electronics?
    2018 - 2018
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学歴 (4件)：
  • - 2012 九州大学 システム情報科学府 電気電子工学専攻
  • - 2009 九州大学 システム情報科学府 電子デバイス工学専攻
  • - 2007 九州大学 工学部 電気情報工学科
  • - 2005 茨城工業高等専門学校 電気工学科
経歴 (12件)：
  • 2022/06 - 現在 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 准教授
  • 2017/04 - 2022/05 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 講師
  • 2017/01 - 2020/03 名古屋大学 高等研究院 講師
  • 2015/12 - 2019/03 科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 さきがけ研究者
  • 2017/01 - 2017/03 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 講師
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委員歴 (14件)：
  • 2023/04 - 現在 応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 広報幹事
  • 2023/01 - 現在 応用物理学会 東海地区若手チャプター 代表
  • 2022/06 - 現在 応用物理学会東海支部 東海ニューフロンティアリサーチワークショップ 代表
  • 2018 - 現在 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会 実行委員
  • 2018 - 現在 応用物理学会東海地区若手チャプター コアメンバー
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受賞 (12件)：
  • 2022/03 - ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 The Best Oral Presentation Awards
  • 2018/11 - MNC Organizing Committee MNC2017 Award for Outstanding Paper
  • 2016/09 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第38回応用物理学会優秀論文賞
  • 2015/09 - SSDM SSDM Paper Award 2015
  • 2015/06 - 15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015) Best Paper Award of IWJT 2015
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所属学会 (4件)：
日本熱電学会 ,  日本表面真空学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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