研究者
J-GLOBAL ID：201601002222058488
更新日: 2025年03月03日 黒澤 昌志
クロサワ マサシ | Kurosawa Masashi
名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学
名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 物質デバイス機能創成学 について
職名： 准教授
競争的資金等の研究課題 (39件)：
- 2024 - 2029 14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング
- 2024 - 2029 Beyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発(技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)の組合員として参画)
- 2024 - 2027 14族ナノシートに関する総括的研究
- 2024 - 2027 14族ナノシートの合成
- 2024 - 2027 14族ナノシート科学の創成(領域代表)
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- Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Kenji Shiraishi, Osamu Nakatsuka. First-principles investigation of phase transition from zincblende to L10 at high temperature in Si0.5Sn0.5 alloys. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. Vol. 64, No. 2, pp. 021004-1〜7
- Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. Vol. 64, No. 1, pp. 01SP11-1〜7
- Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2025. Vol. 13, pp. 79-85
- Shigehisa Shibayama, Kaito Shibata, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka. Epitaxial growth of Ge1-xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge-Sn ordered bonding structure formation. Applied Physics Express. 2024. Vol. 17, No. 11, pp. 115503-1〜4
- S. Shibayama, S. Mori, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka. Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer. ECS Transactions. 2024. Vol. 114, No. 2, pp. 215-224
書籍 (1件)：
- 共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術
「ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線」-二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開-(柚原淳司 監修), エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436575
-
Hydrogen desorption from GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient towards germanene synthesizing
(International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2025)) -
Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe-Sn秩序結合形成の兆候
(第72回応用物理学会春季学術講演会) -
Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
(第72回応用物理学会春季学術講演会) -
Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成
(第72回応用物理学会春季学術講演会) -
表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成
(第72回応用物理学会春季学術講演会)
-
学術変革領域研究(A)2.5次元物質科学:公募班メンバー特別対談7がニュースレター(第21号)に掲載されました。
ライター, 柏田百代 2023 - 2023 -
応用物理学会秋季学術講演会 注目講演プレスレスリリース「先端ロジック半導体の性能向上を握る層状物質の探索 シリカン(SiH)の成膜法開発で新たな一歩を記す」
2023 - 2023 -
月刊誌 Yano E plusでIV族元素による新奇二次元物質に関する研究成果が紹介されました。
株式会社矢野経済研究所 2023 - 2023 -
アプリケーションノート:周波数領域サーモリフレクタンス法を用いたアモルファス Ge1-xSnx 薄膜の熱伝導率の測定
サイエンスエッジ株式会社 2023 - 2023 -
PRESS RELEASE: Large, Good-quality, Monatomic Sheets of Germanene Grown Simply Using Annealing - A Step Closer to the Future of Electronics?
2018 - 2018
- - 2012 九州大学 システム情報科学府 電気電子工学専攻
- - 2009 九州大学 システム情報科学府 電子デバイス工学専攻
- - 2007 九州大学 工学部 電気情報工学科
- - 2005 茨城工業高等専門学校 電気工学科
- 2022/06 - 現在 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 准教授
- 2017/04 - 2022/05 名古屋大学 大学院工学研究科 物質科学専攻 講師
- 2017/01 - 2020/03 名古屋大学 高等研究院 講師
- 2015/12 - 2019/03 科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 さきがけ研究者
- 2017/01 - 2017/03 名古屋大学 大学院工学研究科 結晶材料工学専攻 講師
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- 2023/04 - 現在 応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 広報幹事
- 2023/01 - 現在 応用物理学会 東海地区若手チャプター 代表
- 2018 - 現在 応用物理学会 東海地区若手チャプター メンバー
- 2018 - 現在 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会 実行委員
- 2022/06 - 2025/03 応用物理学会東海支部 東海ニューフロンティアリサーチワークショップ 代表
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- 2022/03 - ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 ISPlasma2022/IC-PLANTS2022 The Best Oral Presentation Awards
- 2018/11 - MNC Organizing Committee MNC2017 Award for Outstanding Paper
- 2016/09 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第38回応用物理学会優秀論文賞
- 2015/09 - SSDM SSDM Paper Award 2015
- 2015/06 - 15th International Workshop on Junction Technology 2015 (IWJT 2015) Best Paper Award of IWJT 2015
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