研究者
J-GLOBAL ID：201601004701537024   更新日: 2024年10月02日

宗田 伊理也

ムネタ イリヤ | Muneta Iriya
所属機関・部署：
東京工業大学 工学院

東京工業大学 工学院 について


職名： 助教
研究分野 (3件)： 電気電子材料工学 ,  磁性、超伝導、強相関系 ,  応用物性
研究キーワード (2件)： スピントロニクス ,  二次元層状物質
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2024 - 2027 二次元層状半導体MoS2の4d軌道エッジ強磁性の電気的制御
  • 2024 - 2025 ナローギャップハバードバンド強磁性体の電気的制御
  • 2021 - 2024 遷移金属カルコゲナイド二次元層状多結晶の強磁性とその応用
  • 2020 - 2022 二次元層状物質遷移金属カルコゲナイドの磁化特性と電気伝導特性
  • 2018 - 2021 自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM
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論文 (57件)：
  • Shinya Imai, Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi. Reduction of contact resistance to PVD-MoS film using aluminum-scandium alloy (AISc) edge contact. IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. 2024
  • Masaki Otomo, Masaya Hamada, Ryo Ono, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Chemical states of PVD-ZrS2 film underneath scaled high-k film with self-oxidized ZrO2 film as interfacial layer. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SC. SC1015-SC1015
  • Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2023. 11. 15-21
  • Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulphide atomic layered structure. Scientific Reports. 2022. 12. 15387
  • Taiga Horiguchi, Takuya Hamada, Masaya Hamada, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Hitoshi Wakabayashi. Positive Seebeck coefficient of niobium-doped MoS2 film deposited by sputtering and activated by sulfur vapor annealing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. 7
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MISC (3件)：
  • 今井慎也, 梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整. スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
  • 今井慎也, 小野凌, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整. MoS2膜質のスパッタ成膜レート依存性調査. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
  • Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Kakushima, Kuniyuki, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saraya, Takuya, Takakura, Toshihiro, Itou, Kazuo, et al. Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs. 2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD). 2019. 311-314
講演・口頭発表等 (51件)：
  • アルミニウムスカンジウム合金(AlSc)と酸化タングステン(WOx)をソース/ドレイン電極に用いたWSe2 n/p FETとCMOSインバータ応用
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
  • アニール処理によるWS2-Niエッジコンタクト特性の向上
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
  • 希土類酸化物キャッピングによるY:HfO2キャパシタの信頼性改善
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
  • MoS2膜質のスパッタ成膜レート依存性調査
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
  • 微結晶MoS2膜への硫黄雰囲気アニールによる結晶性向上
    (第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
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学歴 (3件)：
  • 2011 - 2014 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻
  • 2009 - 2011 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻
  • 2007 - 2009 東京大学 工学部 電子工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
受賞 (1件)：
  • 2018/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞 Artificial control of the bias-voltage dependence of tunnelling-anisotropic magnetoresistance using quantization in a single-crystal ferromagnet
所属学会 (3件)：
米国電気電子学会 (IEEE) ,  応用物理学会 ,  フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 (FNTG)
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