研究者
J-GLOBAL ID：201601006373906419   更新日: 2024年04月29日

中村 有水

ナカムラ ユウスイ | Nakamura Yusui
所属機関・部署：
熊本大学 大学院先端科学研究部(工学系)電気電子材料分野

熊本大学 大学院先端科学研究部(工学系)電気電子材料分野 について


職名： 教授
研究分野 (1件)： 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2023 - 2026 ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用
  • 2019 - 2022 ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発
  • 2019 - 2021 機能性薄膜の成膜条件検討
  • 2015 - 2018 大気圧成膜法による希少・有害元素不要の低コスト酸化物LEDの作製
  • 2008 - 2010 超高速集積回路用電流注入型赤外発光素子の試作と原理実証
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論文 (17件)：
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MISC (76件)：
  • Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Joel T. Asubar. Mist chemical vapor deposited-gate insulators for GaN-based MIS devices applications. 2022 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK). 2022. 1-3
  • S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, et al. Electrical properties of GaN-based MISHEMTs with Al2O3 gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques. 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK). 2021. 1-2
  • M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, et al. Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method. 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK). 2021. 1-2
  • Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara. Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs. 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK). 2021. 1-2
  • 中村有水, 稲葉克彦. ミストCVD法による単結晶薄膜の形成. 科学と工業. 2020. 94. 11
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特許 (1件)：
  • 酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層並びにミスト化学気相成長装置
Works (11件)：
  • 生体埋め込み型3次元磁界検出用マイクロコイルの開発
    2007 - 2008
  • 生体埋め込み型・3次元磁界検出用マイクロコイルの開発
    2007 - 2008
  • 生体埋め込み用チップに対応した無指向性アンテナコイルの開発
    2006 - 2007
  • 生体埋め込み型・3次元磁界検出用マイクロコイルの開発
    2006 - 2007
  • シリコンプロセスに適合した集積回路用 電流注入型 発光素子の開発
    2006 - 2007
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学歴 (4件)：
  • - 1999 博士(工学)(東京大学 大学院 工学系研究科 論文博士)
  • - 1989 東北大学 大学院 工学研究科 博士(前期)課程 電子工学専攻 修了
  • - 1983 岩手大学 工学部 電気工学科 卒業
  • - 1981 岩手大学 工学部 資源開発工学科 卒業
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (3件)：
  • 2016 - 現在 熊本大学 大学院 先端科学研究部(工学系)電気電子材料分野 教授
  • 2006 - 2016 熊本大学大学院自然科学研究科(工学系)機能創成エネルギー 教授
  • 2004 - 2006 熊本大学工学部(旧) 教授
委員歴 (1件)：
  • 2019/09 - 2019/12 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会 現地実行委員会 委員長(熊本大学)
受賞 (1件)：
  • 丸文財団 丸文交流研究助成金 ミスト化学気相成長法による酸化亜鉛薄膜の結晶成長およびデバイス応用
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