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研究者

J-GLOBAL ID：201601008996814534 更新日: 2025年03月20日

平山秀樹

ヒラヤマヒデキ | Hideki Hirayama

所属機関・部署：
職名：主任研究員

研究分野 (1件)：半導体、光物性、原子物理

競争的資金等の研究課題 (17件)：

2024 - 2029 サブバンド間遷移機構の革新による未踏周波数・室温動作THz-QCL実現に関する研究
2018 - 2021 紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立
2016 - 2021 特異構造結晶の特性を生かした新機能発光デバイスの研究
2015 - 2020 窒化物半導体を用いた未開拓波長量子カスケードレーザの研究
2012 - 2015 電極が不要な禁制帯内の包括的マルチレベル分光手法の開拓

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論文 (296件)：

Siqi Li, Xiao Liang, Pengfei Shao, Songlin Chen, Zhenhua Li, Xujun Su, Tao Tao, Zili Xie, M. Ajmal Khan, Li Wang, et al. Monolayer-scale AlN/GaN digital alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters. 2024. 125. 11
Muhammad Ajmal Khan, Mitsuhiro Muta, Kohei Fujimoto, Javier Gonzalez Rojas, Pablo Fredes, Ernesto Gramsch, Yasushi Iwaisako, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama. Estimation of Junction Temperature in Single 228 nm-Band AlGaN Far-Ultraviolet-C Light-Emitting Diode on c-Sapphire Having 1.8 mW Power and 0.32% External Quantum Efficiency. physica status solidi (a). 2024. 221. 21
Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada. Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN-Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm. physica status solidi (b). 2024
Li Wang, Mingxi Chen, Tsung-Tse Lin, Ke Wang, Hideki Hirayama. Interdiffusion limiting on self-consistent optical gain in terahertz quantum cascade lasers. Applied Physics Express. 2023. 16. 7. 072004-072004
Li Wang, Tsung-Tse Lin, Ke Wang, Hideki Hirayama. Clean three-level direct-phonon injection terahertz quantum cascade laser. Applied Physics Letters. 2023. 122. 22

MISC (122件)：

平山秀樹, Ajmal Muhammad Khan, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 祝迫恭, et al. サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展-Recent Progress of 230 nm AlGaN far-UVC LED on sapphire substrate-特集深紫外光デバイスの進展とその応用. Optronics : 光技術コーディネートジャーナル. 2024. 43. 5. 76-81
室谷英彰, 山田陽一, 平山秀樹. 深紫外発光AlGaN系量子井戸構造の励起子系光物性-Excitonic optical properties of deep-UV luminescent AlGaN-based multiple quantum wells-窒化物半導体発光デバイスの最前線. 応用電子物性分科会誌 = Bulletin of solid state physics and applications / 応用物理学会応用電子物性分科会編. 2024. 30. 2. 69-75
平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 祝迫恭, et al. 深紫外光デバイスの進展とその応用サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展. Optronics. 2024. 509
平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 祝迫恭, 藤川紗千恵, 矢口裕之. 輝きと魅力を増す最近の光源生体無害ウイルス不活化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展. 光アライアンス. 2024. 35. 7
辻啓人, 姫野邦夫, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 前田哲利, 平山秀樹, 山田陽一. 活性層選択励起下における230nm発光帯AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率評価. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 2023

書籍 (40件)：

Growth Techniques of AlN/AlGaN and Development of High-Efficiency Deep-Ultraviolet Light-emitting Diodes
Woodhead Publishing 2015
深紫外LEDの効率向上と市場展開への期待
株式会社オプトロニクス 2015
AlGaN深紫外LEDの進展と最近の動向
日本工業出版株式会社 2015
無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性
一般社団法人電子情報通信学会 2015
GaN系THz-QCLの最近の進展
一般社団法人電子情報通信学会 2015

講演・口頭発表等 (187件)：

Current Status and Future of III-Nitride Ultraviolet and THz Emittres
(International Workshop on Nitiride Semiconductors (IWN 2016), 2016)
THz量子カスケードレーザの進展と展望
(第140回微小光学研究会 2016)
深紫外LEDの最近の進展と展望
(応用物理学会・応用電子物性分科会6月研究例会 2016)
テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望
(応用物理学会・テラヘルツ電磁波技術究例会 2016)
Recent Progress of AlGaN Deep-UV LED using Transparent Contact Layer
(15th Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS-15) 2016)

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平山 秀樹

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