研究者
J-GLOBAL ID:201601008996814534
更新日: 2024年11月01日
平山 秀樹
ヒラヤマ ヒデキ | Hideki Hirayama
所属機関・部署:
職名:
主任研究員
競争的資金等の研究課題 (17件):
- 2024 - 2029 サブバンド間遷移機構の革新による未踏周波数・室温動作THz-QCL実現に関する研究
- 2018 - 2021 紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立
- 2016 - 2021 特異構造結晶の特性を生かした新機能発光デバイスの研究
- 2015 - 2020 窒化物半導体を用いた未開拓波長量子カスケードレーザの研究
- 2012 - 2015 電極が不要な禁制帯内の包括的マルチレベル分光手法の開拓
- 2012 - 2015 Si基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外LEDの研究
- 2011 - 2015 THz量子カスケードレーザの動作高温化と周波数拡大に関する研究
- 2009 - 2011 ディープレベル顕微鏡による欠陥準位のエネルギー及び空間分布解析手法の確立
- 2009 - 2011 窒化物半導体を用いたテラヘルツ量子カスケードレーザの研究
- 2006 - 2010 InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究
- 2007 - 2008 窒化物半導体を用いた遠赤外-テラヘルツ量子カスケードレーザの研究
- 2003 - 2007 ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用
- 2002 - 2004 InAlGaN4元混晶を用いた紫外域高輝度発光ダイオードの開発研究
- 2001 - 2003 交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用
- 1999 - 2001 原子位置制御不純物コドーピングに関する研究
- 1998 - 2001 位相制御領域を有するフォトニック結晶の作製とその光デバイスへの応用
- 1998 - 1999 紫外半導体レーザーの為の高輝度紫外発光III族窒素化物量子ドットに関する研究
全件表示
論文 (296件):
-
Siqi Li, Xiao Liang, Pengfei Shao, Songlin Chen, Zhenhua Li, Xujun Su, Tao Tao, Zili Xie, M. Ajmal Khan, Li Wang, et al. Monolayer-scale AlN/GaN digital alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters. 2024. 125. 11
-
Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada. Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN-Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm. physica status solidi (b). 2024
-
Li Wang, Mingxi Chen, Tsung-Tse Lin, Ke Wang, Hideki Hirayama. Interdiffusion limiting on self-consistent optical gain in terahertz quantum cascade lasers. Applied Physics Express. 2023. 16. 7. 072004-072004
-
Li Wang, Tsung-Tse Lin, Ke Wang, Hideki Hirayama. Clean three-level direct-phonon injection terahertz quantum cascade laser. Applied Physics Letters. 2023. 122. 22
-
Yuri Itokazu, Noritoshi Maeda, Hiroyuki Yaguchi, Hideki Hirayama. Significant improvement of injection efficiency in deep-UV LD structures by light Mg doping in p-core layer. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
もっと見る
MISC (115件):
-
平山 秀樹, Ajmal Muhammad Khan, 鹿嶋 行雄, 松浦 恵理子, 前田 哲利, 牟田 実広, 大神 裕之, 毛利 健吾, 河島 宏和, 祝迫 恭, et al. サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展-Recent Progress of 230 nm AlGaN far-UVC LED on sapphire substrate-特集 深紫外光デバイスの進展とその応用. Optronics : 光技術コーディネートジャーナル. 2024. 43. 5. 76-81
-
平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 祝迫恭, et al. 深紫外光デバイスの進展とその応用 サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展. Optronics. 2024. 509
-
平山秀樹, KHAN Ajmal Muhammad, 鹿嶋行雄, 松浦恵理子, 前田哲利, 牟田実広, 大神裕之, 祝迫恭, 藤川紗千恵, 矢口裕之. 輝きと魅力を増す最近の光源 生体無害ウイルス不活化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展. 光アライアンス. 2024. 35. 7
-
永田裕弥, 永田裕弥, 仲元寺郁弥, 仲元寺郁弥, 前田哲利, 藤川紗千恵, 藤川紗千恵, 矢口裕之, 祝迫恭, 平山秀樹. 230nm AlGaN far-UVC LEDの発光効率の量子井戸構造依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
-
牟田実広, 大神裕之, 毛利健吾, 河島宏和, 前田哲利, KHAN Ajmal, 鹿嶋行雄, 松浦恵里子, 中村祐樹, 住司光, et al. 230nm帯far-UVC LEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 288(ED2023 14-37)
もっと見る
書籍 (40件):
-
Growth Techniques of AlN/AlGaN and Development of High-Efficiency Deep-Ultraviolet Light-emitting Diodes
Woodhead Publishing 2015
-
深紫外LEDの効率向上と市場展開への期待
株式会社オプトロニクス 2015
-
AlGaN深紫外LEDの進展と最近の動向
日本工業出版株式会社 2015
-
無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性
一般社団法人電子情報通信学会 2015
-
GaN系THz-QCLの最近の進展
一般社団法人電子情報通信学会 2015
もっと見る
講演・口頭発表等 (187件):
-
Current Status and Future of III-Nitride Ultraviolet and THz Emittres
(International Workshop on Nitiride Semiconductors (IWN 2016), 2016)
-
THz量子カスケードレーザの進展と展望
(第140回微小光学研究会 2016)
-
深紫外LEDの最近の進展と展望
(応用物理学会・応用電子物性分科会6月研究例会 2016)
-
テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望
(応用物理学会・テラヘルツ電磁波技術究例会 2016)
-
Recent Progress of AlGaN Deep-UV LED using Transparent Contact Layer
(15th Symposium on the Science and Technology of Lighting (LS-15) 2016)
もっと見る
前のページに戻る