研究者
J-GLOBAL ID:201601009285736383
更新日: 2024年04月18日 塚本 史郎
ツカモト シロウ | Tsukamoto Shiro
所属機関・部署: 職名:
Joint Project Professor
研究キーワード (6件):
STMBE(MBE成長その場STM観察)
, 半導体担持型有機金属触媒
, 量子ドット
, 化合物半導体
, 走査型トンネル顕微鏡
, 分子線エピタキシィ
論文 (145件): -
Federico Cesura, Stefano Vichi, Artur Tuktamyshev, Sergio Bietti, Alexey Fedorov, Stefano Sanguinetti, Kanji Iizuka, Shiro Tsukamoto. Droplet free self-assembling of high density nanoholes on GaAs(100) via thermal drilling. Journal of Crystal Growth. 2024. 630. 127588-127588
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Motoi Hirayama, Sho Kishigami, Takumi Goto, Shiro Tsukamoto. First-principles calculations of Mn incorporation into GaAs(110). Surface Science. 2023. 729. 122230-122230
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Artur Tuktamyshev, Stefano Vichi, Federico Cesura, Alexey Fedorov, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Shiro Tsukamoto, Stefano Sanguinetti. Flat metamorphic InAlAs buffer layer on GaAs(111)A misoriented substrates by growth kinetics control. Journal of Crystal Growth. 2022. 600
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Mani Azadmand, Stefano Vichi, Federico Guido Cesura, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Giovanni Maria Vanacore, Shiro Tsukamoto, Stefano Sanguinetti. Vapour Liquid Solid Growth Effects on InGaN Epilayers Composition Uniformity in Presence of Metal Droplets. NANOMATERIALS. 2022. 12. 21
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A. Tuktamyshev, A. Fedorov, S. Bietti, S. Vichi, K. D. Zeuner, K. D. Jöns, D. Chrastina, S. Tsukamoto, V. Zwiller, M. Gurioli, et al. Telecom-wavelength InAs QDs with low fine structure splitting grown by droplet epitaxy on GaAs(111)A vicinal substrates. Applied Physics Letters. 2021. 118. 13. 133102-133102
もっと見る MISC (145件): -
Mani Azadmand, Stefano Vichi, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Maurizio Acciarri, Alexey Fedorov, Shiro Tsukamoto, Richard Nötzel, Stefano Sanguinetti. Metal Droplet Effects on the Composition of Ternary Nitrides. 2019
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Mani Azadmand, Luca Barabani, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Maurizio Acciarri, Alexey Fedorov, Shiro Tsukamoto, Richard Nötzel, Stefano Sanguinetti. Droplet Controlled Growth Dynamics in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of In(Ga)N Materials. 2017
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東條孝志, 塚本史郎. STMBE断続供給法によるInAs量子ドット形成過程観察に関する研究. 東京大学総合技術研究会予稿集 平成29年度(CD-ROM). 2017
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塚本史郎. III-V族半導体量子ドット成長のその場観察と成長メカニズム. 化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM). 2016. 48th
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小西智也, 塚本史郎, 伊藤智徳, 秋山亨, 海田諒. MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 77th
もっと見る 特許 (17件): 書籍 (2件): - 量子ドットエレクトロニクスの最前線
エヌ・ティー・エス 2011
- Handbook of Self Assmebled Semiconductor Nanostructures Novel Devices in Photonics and Electronics
Elsevier 2008
講演・口頭発表等 (287件): -
Study of initial metal cluster size on compound semiconductor surfaces
(The 10th International Symposium on Materials Science and Surface Technology (MSST 2021) 2022)
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Droplet epitaxy from beginning to present, pursuing initial cluster size
(21st International Conference in Molecular Beam Epitaxy 2021)
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Investigation on Compound Semiconductor Crystal growth mechanism by STMBE which performs true in-situ STM imaging during MBE growth
(7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2019) 2019)
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Formation mechanism of InAs quantum dots on GaAs(001) investigated by STMBE which performs true in-situ STM imaging during MBE growth
(The Winter School on “Quantum Dots: from growth to fundamental properties” 2019)
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S-terminatied semiconductor surfaces for green chemistry
(6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2017) 2017)
もっと見る 学歴 (4件): - 1990 - 1993 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 電子工学専攻
- 1988 - 1989 ミシガン大学 大学院工学系研究科修士課程 電気工学専攻
- 1983 - 1987 東京理科大学 工学部第一部 電気工学科
- 1979 - 1982 神奈川県立上鶴間高等学校
学位 (1件): 経歴 (12件): - 2021/04 - 現在 Università degli Studi di Milano-Bicocca, Dipartimento di Scienza dei Materiali, Joint Project Professor
- 2021/04 - 2024/03 電気通信大学 特任教授
- 2017/04 - 2021/03 阿南工業高等専門学校 客員教授
- 2017/09 - 2020/08 Università degli Studi di Milano-Bicocca, Dipartimento di Scienza dei Materiali, Visiting Professor, Assegnista di ricerca (Research Fellow)
- 2007/04 - 2017/03 阿南工業高等専門学校 日亜化学寄附講座 特別研究教授
- 2013/05 - 2013/09 大阪大学 産業科学研究所 招へい教授(併任)
- 2011/04 - 2012/03 東京大学 物性研究所 客員教授(併任)
- 2003/01 - 2007/03 東京大学 生産技術研究所 客員助教授 → 特任助教授 → 特任准教授、産学官連携研究員
- 2001/04 - 2002/12 物質・材料研究機構 ナノデバイス(研究)グループ 主任研究員
- 1993/04 - 2001/03 科学技術庁 金属材料技術研究所 研究員 → 主任研究官
- 1988/08 - 1989/12 ミシガン大学 工学部電気工学科 研究助手(リサーチアシスタント)
- 1986/04 - 1987/03 科学技術庁 金属材料技術研究所 研修実習生(外部卒業研究)
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