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研究者

J-GLOBAL ID：201801011084246697 更新日: 2024年12月21日

山本真人

ヤマモトマヒト | Yamamoto Mahito

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (2件)：半導体、光物性、原子物理 , 電子デバイス、電子機器

研究キーワード (13件)：ナノ材料 , 表面物理 , 強相関酸化物 , ファンデルワールスヘテロ構造 , 二酸化バナジウム , 六方晶窒化ホウ素 , 遷移金属ダイカルコゲナイド , グラフェン , メモリ , センサー , 急峻スロープトランジスタ , 相転移材料 , 二次元材料

競争的資金等の研究課題 (10件)：

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論文 (32件)：

Koyo Nakayama, Shota Toida, Takahiko Endo, Mitsuru Inada, Shingo Sato, Hiroshi Tani, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keiji Ueno, Yasumitsu Miyata, et al. Spatial and reconfigurable control of photoluminescence from single-layer MoS2 using a strained VO2-based Fabry-Pérot cavity. Applied Physics Letters. 2024. 125. 22
Meng-Yu Tsai, Chia-Tse Huang, Che-Yi Lin, Mu-Pai Lee, Feng-Shou Yang, Mengjiao Li, Yuan-Ming Chang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Ching-Hwa Ho, et al. A reconfigurable transistor and memory based on a two-dimensional heterostructure and photoinduced trapping. Nature Electronics. 2023. 6. 10. 755-764
Che-Yi Lin, Mu-Pai Lee, Yuan-Ming Chang, Yi-Tang Tseng, Feng-Shou Yang, Mengjiao Li, Jiann-Yeu Chen, Ciao-Fen Chen, Meng-Yu Tsai, Yi-Chun Lin, et al. Diffused Beam Energy to Dope van der Waals Electronics and Boost Their Contact Barrier Lowering. ACS Applied Materials & Interfaces. 2022. 14. 36. 41156-41164
Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Hidekazu Tanaka. Step-like resistance changes in VO2 thin films grown on hexagonal boron nitride with in situ optically observable metallic domains. Applied Physics Letters. 2022. 120. 5
Hiroshi Nakajima, Toshiaki Tanigaki, Takaaki Toriyama, Mahito Yamamoto, Hidekazu Tanaka, Yasukazu Murakami. Electrostatic potential measurement at the Pt/TiO2 interface using electron holography. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 17. 174304-174304

書籍 (4件)：

講演・口頭発表等 (5件)：

Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts
(Recent Progress on Graphene and 2D Materials Research 2019 2019)
Phase transition FETs based on two-dimensional WSe2 with VO2 contacts
(26th INTERNATIONAL WORKSHOP ON OXIDE ELECTRONICS 2019)
Carrier injection from VO2 into MoS2 and WSe2
(2019 Annual Meeting of the Physical Society of Taiwan 2019)
Steep-slope transistors based on 2D semiconductors contacted with the phase-change material VO2
(2018 MRS Spring Meeting and Exhibit 2018)
Non-thermionic switching in an atomically thin WSe2 transistor with the phase-change material VO2 contact
(APS March Meeting 2018)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

受賞 (1件)：

所属学会 (3件)：

アメリカ材料学会 , アメリカ物理学会 , 応用物理学会

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山本 真人