研究者
J-GLOBAL ID:201801011917939144   更新日: 2024年05月17日

小田 将人

オダ マサト | Oda Masato
ホームページURL (1件): http://www.wakayama-u.ac.jp/~moda/
研究キーワード (1件): 第一原理計算
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 2022 - 2024 土壌粘土鉱物を利用した熱電変換材料の創製
  • 2020 - 2023 DDS応用に向けたセラソーム表面モデルの大規模電子状態計算とその開封方法の研究
  • 2019 - 2021 電子-格子相互作用による特異構造の移動・変形の理論
  • 2019 - 2021 GaN 内 Mg のクラスタリング(偏析)の計算科学的研究
  • 2017 - 2019 特異構造を介してのエネルギー転換機構の理論
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論文 (26件):
  • Jota Nakamura, Masato Oda, Yoshihiro Kangawa. Adiabatic Potential for Conformational Change of VGa-VN Complex Defects in GaN. physica status solidi (b). 2024
  • 小田将人, 古木凌太, 篠塚雄三. (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の初期成長過程と電子状態. 日本結晶成長学会誌. 2023. 50. 1. 50-1-06_1-50-1-06_11
  • Masato Oda, Noritake Koike. Electronic Structures of Iodine-Doped Lithium Phthalocyanine Crystals. physica status solidi (b). 2023. 260. 5
  • Nao Kadowaki, Masato Oda, Jun Nara. Theoretical study on adsorption state of chemisorbed oxygen molecule on partially oxidized Si(001) surface. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 12. 125501-125501
  • Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh. Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation. Jpn. J. Appl. Phys. 2020. 59. SGGK16
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MISC (15件):
  • Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh. Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs. 2019. F-5-03
  • 境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三. フェロセン内包CNTの電子状態計算. 日本物理学会講演概要集(CD-ROM). 2018. 73. 1
  • 水越 隆大, 小田 将人, 篠塚 雄三. 27pAP-1 Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 1. 870-870
  • 南迫 大樹, 小田 将人, 篠塚 雄三. 26pPSB-43 第一原理計算を用いたSi(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 1. 966-966
  • 小田 将人, 西村 高志, 笹原 亮, 村田 英幸, 新井 豊子, 富取 正彦. 24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)). 日本物理学会講演概要集. 2012. 67. 0. 936-936
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書籍 (1件):
  • 力学のサボり方
    学術図書出版社 2022 ISBN:9784780609981
講演・口頭発表等 (75件):
  • 窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • PHASE/0を用いたセシウム吸着風化黒雲母の溶融塩反応機構解明
    (NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2023 2023)
  • Thermal Interaction between Exitons in III-Nitride Semiconductors
    (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023)
  • Adiabatic potential for conformational change of VGa-VN complex defects in GaN
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023)
  • 第一原理計算による窒化アルミニウム上での窒化ニオブの結晶成長初期段階の解明
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
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学歴 (2件):
  • 2001 - 2006 千葉大学 大学院 自然科学研究科
  • 1997 - 2001 千葉大学 理学部 物理学科
経歴 (9件):
  • 2023/04 - 現在 藍野学院短期大学 非常勤講師
  • 2023/04 - 現在 和歌山大学 システム工学部 准教授
  • 2017/04 - 現在 東京医療保健大学 和歌山看護学部 非常勤講師
  • 2018/04 - 2022/03 和歌山大学 システム工学部 講師
  • 2019/04 - 2019/09 名古屋工業大学 非常勤講師
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受賞 (1件):
  • 2018 - 応用物理学会2018年春季学術講演会PosterAward (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論
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