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J-GLOBAL ID：201801015029357035   更新日: 2024年07月16日

畠山 哲夫

ハタケヤマ テツオ | Hatakeyama Tetsuo
クリップ
所属機関・部署：
富山県立大学 工学部 電気電子工学科

富山県立大学 工学部 電気電子工学科 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： https://scholar.google.co.jp/citations?user=HDMVl-QAAAAJ&hl=ja
研究分野 (2件)： 半導体、光物性、原子物理 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (5件)： デバイスシミュレーション ,  SiC MOS界面 ,  SiCパワーデバイス ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  SiC
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 2023 - 2026 SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明
  • 2019 - 2022 SiC MOS界面の反転層移動度の散乱機構の研究
論文 (113件)：
  • Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama. First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP69-02SP69
  • Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
  • Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
  • 岡本 大, 染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 原田 信介, 畠山 哲夫. On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 」 (第26回研究会) 予稿集. 2021
  • 畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満, 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介. SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 」 (第26回研究会) 予稿集. 2021
もっと見る
MISC (1件)：
  • A. Yao, T. Hatakeyama. Iron loss and hysteresis properties under high-temperature inverter excitation. Journal of the Magnetics Society of Japan. 2019. 43. 3. 46-49
講演・口頭発表等 (55件)：
  • 4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討
    (2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • TCADにおけるSiC MOS反転層移動度のモデル化に関する考察
    (先進パワー半導体分科会第9回講演会(2022年秋) 2022)
  • SiC PiN ダイオードの p 型エミッタの低注入条件の TCAD による検討
    (令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
  • SiC MOSFET のI-V特性を再現するTCAD移動度モデルの検討
    (令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
  • TCADによるSiC MOSFETのCP特性の捕獲断面積依存性の評価
    (令和4年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2022)
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学歴 (4件)：
  • 1987 - 1990 東京大学 大学院理学系研究科 物理学専門課程博士過程
  • 1985 - 1987 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程修士課程
  • 1983 - 1985 東京大学 理学部 物理学科
  • 1981 - 1983 東京大学 教養学部 理科一類
学位 (1件)：
  • 理学博士 (東京大学)
経歴 (5件)：
  • 2020/04 - 現在 富山県立大学 工学部 電気電子工学科 教授
  • 2018/04 - 2020/03 富山県立大学 工学部 電子・情報工学科 教授
  • 2016/04 - 2018/03 (国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
  • 1997/03 - 2016/03 (株)東芝 研究開発センター
  • 1991/04 - 1997/02 川崎製鉄株式会社
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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