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所属機関・部署：
職名： 特任准教授
競争的資金等の研究課題 (2件)：
論文 (91件)：
MISC (27件)：
特許 (20件)：
学歴 (3件)：
学位 (1件)：
経歴 (6件)：
所属学会 (2件)：
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国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所
国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所 について
職名： 特任准教授
競争的資金等の研究課題 (2件)：
- 2024 - 2028 半導体化学気相成長の科学
- 2022 - 2024 HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製
- Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2024
- Shin Ito, Shin ichiro Sato, Michał S. Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Ken ichi Yoshida, Hideaki Minagawa, et al. Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2024. 547
- Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2024. 628. 127529-127529
- Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate. Journal of Crystal Growth. 2024. 628. 127552-127552
- T. Kimura, H. Shimazu, K. Kataoka, K. Itoh, T. Narita, A. Uedono, Y. Tokuda, D. Tanaka, S. Nitta, H. Amano, et al. Impurity reduction in lightly doped n-type gallium nitride layer grown via halogen-free vapor-phase epitaxy. Applied Physics Letters. 2024. 124. 5
- Nagamatsu, K., Ando, Y., Ye, Z., Barry, O.L., Tanaka, A., Deki, M., Nitta, S., Honda, Y., Pristovsek, M., Amano, H. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 10
- Tanaka, A., Ando, Y., Nagamatsu, K., Deki, M., Cheong, H., Ousmane, B., Kushimoto, M., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H. m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2018. 215. 9
- Yang, X., Nitta, S., Pristovsek, M., Liu, Y., Nagamatsu, K., Kushimoto, M., Honda, Y., Amano, H. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Applied Physics Express. 2018. 11. 5
- Usami, S., Ando, Y., Tanaka, A., Nagamatsu, K., Deki, M., Kushimoto, M., Nitta, S., Honda, Y., Amano, H., Sugawara, Y., et al. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate. Applied Physics Letters. 2018. 112. 18
- 河野 司, 久志本 真希, 永松 謙太郎, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩. -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 332. 19-22
学歴 (3件)：
- 2000 - 2003 名城大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
- 1998 - 2000 名城大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
- 1994 - 1998 名城大学 理工学部 電気電子工学科
- 博士(工学) (名城大学)
- 2025/02 - 現在 三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター 教授
- 2015/10 - 2025/01 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
- 2008/01/16 - 2015/09/30 豊田合成株式会社
- 2007/04 - 2008/01 エルシード株式会社
- 2005/12 - 2007/03 名城大学21世紀COEプログラム「ナノファクトリー」研究員
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