研究者
J-GLOBAL ID：201801018641993071   更新日: 2024年07月16日

新田 州吾

ニッタ シュウゴ | Nitta Shugo
所属機関・部署：
国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所

国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学 未来材料・システム研究所 について


職名： 特任准教授
研究分野 (1件)： 結晶工学
研究キーワード (1件)： 窒化物半導体
論文 (37件)：
  • Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2024. 628. 127529-127529
  • Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate. Journal of Crystal Growth. 2024. 628. 127552-127552
  • Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic. Applied Physics Letters. 2023
  • Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Shun Lu, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 2022
  • Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates. Journal of Crystal Growth. 2022. 592. 126749-126749
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MISC (27件)：
  • Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi. Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018. 57. 10
  • Tanaka Atsushi, Ando Yuto, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Cheong Heajeong, Ousmane Barry, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi. m-Plane GaN Schottky Barrier Diodes Fabricated With MOVPE Layer on Several Off-Angle m-Plane GaN Substrates. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2018. 215. 9
  • Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi. Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2018. 11. 5
  • Usami Shigeyoshi, Ando Yuto, Tanaka Atsushi, Nagamatsu Kentaro, Deki Manato, Kushimoto Maki, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Sugawara Yoshihiro, et al. Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2018. 112. 18
  • 河野 司, 久志本 真希, 永松 謙太郎, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩. -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 332. 19-22
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学歴 (3件)：
  • 2000 - 2003 名城大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
  • 1998 - 2000 名城大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
  • 1994 - 1998 名城大学 理工学部 電気電子工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (名城大学)
経歴 (5件)：
  • 2015/10/01 - 現在 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
  • 2008/01/16 - 2015/09/30 豊田合成株式会社
  • 2007/04 - 2008/01 エルシード株式会社
  • 2005/12 - 2007/03 名城大学21世紀COEプログラム「ナノファクトリー」研究員
  • 2003/04 - 2005/11 日本イー・エム・シー株式会社
所属学会 (2件)：
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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