岡田成仁

オカダナリヒト | Okada Narihito

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (2件)：結晶工学 , 電気電子材料工学

研究キーワード (3件)：ハイドライド気相成長 , 有機金属化合物気相成長 , III族窒化物半導体

競争的資金等の研究課題 (6件)：

2019 - 2021 GaN系LEDの転位に起因するVピットの形状操作と転位無効化メカニズムの解明
2016 - 2019 ヘテロ中間層を用いた非極性面発光デバイスの偏光特性制御と高性能化
2013 - 2016 サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性{20-2-1}面GaN基板の作製
2012 - 2014 高品質半極性面InGaNテンプレート上LEDの光学・発光特性の解明
2008 - 2010 r面サファイア基板への無極性a面GaNの結晶成長と高効率緑色LEDへの応用

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論文 (131件)：

Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Well Number Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates. physica status solidi (b). 2024
Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada. Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN-Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm. physica status solidi (b). 2024
Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Temperature- and Excitation Power Density-Resolved Photoluminescence of AlGaN-Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220-260 nm. physica status solidi (b). 2024
Minagi Miyamoto, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Syunsuke Matsuda, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada. Improvement of electrical properties by insertion of AlGaN interlayer for N-polar AlGaN/AlN structures on sapphire substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SN. SN1016-SN1016
Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, et al. Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N-polar AlGaN/AlN FETs. physica status solidi (a). 2023

MISC (25件)：

中生拓希, 姫野邦夫, 武田椋平, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, et al. 深紫外発光AlGaN量子井戸構造における強励起側の発光効率曲線解析. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
押村遼太, 稲井滉介, 草場崇史, 藤井厚志, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一. 異なるAlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造の内部量子効率. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
中津留圭悟, 南里翼, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 室谷英彰, 矢野良樹, 小関修一, 松本功, 山田陽一. 緑色InGaN系量子井戸構造における内部量子効率の励起波長依存性. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
姫野邦夫, 武田椋平, 中生拓希, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, et al. 励起子レート方程式モデルを用いたUV-B帯AlGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
中津留圭悟, 橋口勇樹, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 矢野良樹, 小関修一, 松本功, 山田陽一. 緑色InGaN量子井戸構造における発光効率曲線解析と輻射・非輻射再結合ダイナミクスの相関. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2020. 2020 (Web)

講演・口頭発表等 (1件)：

電子移動度トランジスタに向けたN面AlGaN/AlNの結晶成長とデバイス試作
(第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)

学歴 (1件)：

- 2008 名城大学理工学研究科電気電子情報材料工学専攻

学位 (1件)：

工学 (名城大学)

経歴 (3件)：

2018/04 - 現在山口大学大学院創成科学研究科准教授
2010/05 - 2016/04 山口大学大学院創成科学研究科大学院担当助教
2010/02/24 - 2010/05/17 山口大学大学院理工学研究科(工学) 大学院担当助教

委員歴 (18件)：

2020 - 現在 ISPlasma 論文委員
2016 - 現在 LEDIA 実行委員
2016 - 現在日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会幹事
2009 - 現在応用物理学会中国四国支部研究会企画委員
- 現在 ICNS2023 現地実行委員

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受賞 (7件)：

2021 - 応用物理学会 JJAP/APEX Reviewer Aword
2018/03 - 応用物理学会 2018年度支部学術講演会発表奨励賞選択横方向成長による高品質 AlN のストライプ方位依存性
2018 - 応用物理学会第17回(2018年度)APEX/JJAP編集貢献賞
2017/03 - OPIC The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA`17) Young Researcher’s Paper Award Fabrication of idiosyncratic GaN structures by ICP-RIE with enhanced chemical etching conditions and its applications
2012/05 - 応用物理学会第32回(2012年春季)応用物理学会「講演奨励賞」ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化

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