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研究者
J-GLOBAL ID:201901007249504823   更新日: 2025年02月19日

原嶋 庸介

ハラシマ ヨウスケ | Harashima Yosuke
クリップ
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (3件): 数理物理、物性基礎 ,  磁性、超伝導、強相関系 ,  半導体、光物性、原子物理
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 2022 - 2025 不規則不純物系の金属絶縁体転移の臨界現象に対するスピンと補償の効果
論文 (31件):
  • Hiromu Yamada, Shogo Takasuka, Shunto Oikawa, Yosuke Harashima, Tomoaki Takayama, Aniruddha Nag, Araki Wakiuchi, Tsuyoshi Ando, Tetsunori Sugawara, Miho Hatanaka, et al. Multi-objective Bayesian optimization for experimental design in copolymerization and revealing chemical mechanism of Pareto fronts. 2025
  • Wataru Takahara, Ryuto Baba, Yosuke Harashima, Tomoaki Takayama, Shogo Takasuka, Yuichi Yamaguchi, Akihiko Kudo, Mikiya Fujii. Proposal of an Approach to Explore Photocatalysts by Two-stage Machine Learning Model. 2024
  • Yosuke Harashima, Hiroaki Koga, Zeyuan Ni, Takehiro Yonehara, Michio Katouda, Akira Notake, Hidefumi Matsui, Tsuyoshi Moriya, Mrinal Kanti Si, Ryu Hasunuma, et al. Systematic Search for Stabilizing Dopants in ZrO2 and HfO2 Using First-Principles Calculations. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 2023
  • Y. Harashima, H. Koga, Z. Ni, T. Yonehara, M. Katouda, A. Notake, H. Matsui, T. Moriya, M. K. Si, R. Hasunuma, et al. Finite temperature effects on the structural stability of Si-doped HfO2 using first-principles calculations. Applied Physics Letters. 2023
  • Keisuke Morishita, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi. Effect of MgO Grain Boundaries on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy in Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory: A First-Principles Study. IEEE Transactions on Magnetics. 2023. 59. 4. 1-6
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MISC (8件):
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講演・口頭発表等 (4件):
  • 実験と計算科学の融合とデータ同化
    (第24回理論化学討論会 2022)
  • First principles study on dislocation and impurity complexes in GaN
    (The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2022)
  • Local donor states at screw dislocation and Mg complexes in p-type GaN
    (International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021) 2021)
  • p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体:第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ
    (応用物理学会 シンポジウム"窒化物半導体特異構造の科学〜実験と理論の協奏的アプローチ: 物性解明と制御〜" 2020)
学位 (1件):
  • 博士(理学) (大阪大学)
経歴 (7件):
  • 2024/04 - 現在 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 准教授
  • 2022/01 - 2024/03 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域 助教
  • 2021/01 - 2021/12 筑波大学 計算科学研究センター 助教
  • 2019/04 - 2020/12 名古屋大学 未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター マルチフィジックスシミュレーション部 特任助教
  • 2018/06 - 2019/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 機能材料コンピュテーショナルデザイン研究センター 特別研究員
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受賞 (1件):
  • 2020/03 - 日本物理学会 日本物理学会論文賞
所属学会 (2件):
応用物理学会 ,  日本物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

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