研究者
J-GLOBAL ID：202001012523561566   更新日: 2024年05月30日

川那子 高暢

カワナゴ タカマサ | Kawanago Takamasa
所属機関・部署：
東京工業大学科学技術創成研究院 未来産業技術研究所

東京工業大学科学技術創成研究院 未来産業技術研究所 について


職名： 助教
競争的資金等の研究課題 (10件)：
  • 2023 - 2026 超低電圧動作2次元半導体CMOS集積回路の研究
  • 2020 - 2025 ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用
  • 2019 - 2022 インターカレーションを駆使したゲルマニウムナノシートの電子物性制御
  • 2017 - 2021 2次元有機・無機材料を用いたMIS界面創出とノーマリオフMoS2 FETの実現
  • 2016 - 2021 二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用
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論文 (60件)：
  • Shinya Imai, Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi. Reduction of contact resistance to PVD-MoS film using aluminum-scandium alloy (AISc) edge contact. IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. 2024
  • Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2023. 11. 15-21
  • Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. SC
  • Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Shunri Oda. Transfer printing of gate dielectric and carrier doping with poly(vinyl-alcohol) coating to fabricate top-gate molybdenum disulfide field-effect transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 12. 120903-120903
  • Kentaro Matsuura, Masaya Hamada, Takuya Hamada, Haruki Tanigawa, Takuro Sakamoto, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, et al. Normally-off sputtered-MoS(2)nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59. 8
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MISC (46件)：
  • 川那子高暢, 松崎貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整. 電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe2CMOSインバータの実証. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 松浦賢太朗, 濱田昌也, 濱田拓也, 谷川晴紀, 坂本拓朗, 堀敦, 宗田伊理也, 川那子高暢, 角嶋邦之, 筒井一生, et al. 大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
  • 川那子高暢, 大場智明, 小田俊理. Al2O3ゲート絶縁膜転写法を用いたトップゲートMoS2 FETの作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
  • 松崎貴広, 大場智明, 川那子高暢, 小田俊理. PVAによるMoS2FETへのキャリアドーピングと電気特性への影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 80th
  • 川那子高暢, 高木寛之, 居駒遼, 大場智明. 基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe2FETの作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
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書籍 (2件)：
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用
    2020
  • Integrated Nanodevices and Nanosystems Fabrication: Materials, Techniques, and New Opportunities
    2017
講演・口頭発表等 (23件)：
  • Fabrication and Characterization of Self-Aligned WSe2 p-Type Field-Effect Transistor
    (ECS 2023 2023)
  • Low Voltage Operation of CMOS Inverter based on WSe2 n/p FETs
    (242nd ECS Meeting 2022)
  • WSe2 n/p FETs を用いた低電圧動作CMOS インバータ
    (シリコン材料・デバイス研究会 2022)
  • Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs
    (SSDM 2021 2021)
  • Fabrication of top-gate MoS2 FET with transferred Al2O3 gate dielectric
    (ECS 2019 2019)
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学歴 (3件)：
  • 2008 - 2011 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻博士後期課程
  • 2006 - 2008 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻博士前期課程
  • 2002 - 2006 職業能力開発総合大学校 電子工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京工業大学)
経歴 (5件)：
  • 2016/04 - 現在 東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所 助教
  • 2015/01 - 2016/03 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 助教
  • 2013/04 - 2014/12 日本学術振興会特別研究員PD
  • 2011/04 - 2013/03 東京工業大学フロンティア研究機構 博士研究員
  • 2008/04 - 2011/03 日本学術振興会特別研究員DC1
委員歴 (4件)：
  • 2019 - 現在 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM), Program Committee Member : Area 8
  • 2023 - International Workshop on Junction Technology 2023 Committee Member
  • 2021 - International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 2021, Steering Committee Member
  • 2019 - International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 2019, Steering Committee Member
受賞 (12件)：
  • 2022/07 - 2022年度 末松賞「ディジタル技術の基礎と展開」支援
  • 2021/06 - 第20回東京工業大学挑戦的研究賞
  • 2016/03 - 第63回応用物理学会春季学術講演会ポスター賞
  • 2014/03 - Best Poster Award at the Workshop on Future Trend of Nanoelectronics, WIMNACT-39
  • 2013/06 - 第26回安藤博記念学術奨励賞
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所属学会 (3件)：
IEEE Electron Device Society (EDS) member ,  IEEE member ,  応用物理学会
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