研究者
J-GLOBAL ID:202001012523561566
更新日: 2024年10月02日 川那子 高暢
カワナゴ タカマサ | Kawanago Takamasa
所属機関・部署: 職名:
助教
競争的資金等の研究課題 (10件): - 2023 - 2026 超低電圧動作2次元半導体CMOS集積回路の研究
- 2020 - 2025 ゲート絶縁膜転写法を用いた2次元層状材料の界面制御とナノ電子デバイス応用
- 2019 - 2022 インターカレーションを駆使したゲルマニウムナノシートの電子物性制御
- 2017 - 2021 2次元有機・無機材料を用いたMIS界面創出とノーマリオフMoS2 FETの実現
- 2016 - 2021 二次元TMDC相補型MISFETsのLSIプロセスによる性能向上と応用
- 2017 - 2018 ノーマリオフMoS2トランジスタの実現
- 2015 - 2017 自己組織化単分子膜を用いたMIS界面設計と新機能ナノ電子デバイスへの応用展開
- 2014 - 2017 ナノシリコンドット・ナノワイヤの配列制御によるネオシリコン量子情報処理素子の創製
- 2013 - 2015 高誘電率絶縁膜を用いたMOS界面の制御技術の開発と次世代高速トランジスタへの展開
- 2008 - 2010 移動度劣化のない高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製および移動度の解析
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論文 (61件): -
Shinya Imai, Ryosuke Kajikawa, Takamasa Kawanago, Iriya Muneta, Kazuo Tsutsui, Tetsuya Tatsumi, Shigetaka Tomiya, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi. Reduction of contact resistance to PVD-MoS film using aluminum-scandium alloy (AISc) edge contact. IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. 2024
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Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2023. 11. 15-21
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Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. SC
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Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Shunri Oda. Transfer printing of gate dielectric and carrier doping with poly(vinyl-alcohol) coating to fabricate top-gate molybdenum disulfide field-effect transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 12. 120903-120903
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Kentaro Matsuura, Masaya Hamada, Takuya Hamada, Haruki Tanigawa, Takuro Sakamoto, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, et al. Normally-off sputtered-MoS(2)nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2020. 59. 8
もっと見る MISC (49件): -
今井慎也, 梶川亮介, 川那子高暢, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整. スパッタMoS2膜に対するエッジ金属コンタクトの電流電圧特性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
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今井慎也, 小野凌, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 筒井一生, 若林整. MoS2膜質のスパッタ成膜レート依存性調査. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
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川那子高暢, 松崎貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整. 電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe2CMOSインバータの実証. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
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松浦賢太朗, 濱田昌也, 濱田拓也, 谷川晴紀, 坂本拓朗, 堀敦, 宗田伊理也, 川那子高暢, 角嶋邦之, 筒井一生, et al. 大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 67th
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濱田拓也, 堀口大河, 辰巳哲也, 冨谷茂隆, 濱田昌也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整, 若林整. スパッタMoS2膜のCl2プラズマ処理によるシート抵抗低減. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 80th
もっと見る 書籍 (2件): - グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用
2020
- Integrated Nanodevices and Nanosystems Fabrication: Materials, Techniques, and New Opportunities
2017
講演・口頭発表等 (23件): -
Fabrication and Characterization of Self-Aligned WSe2 p-Type Field-Effect Transistor
(ECS 2023 2023)
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Low Voltage Operation of CMOS Inverter based on WSe2 n/p FETs
(242nd ECS Meeting 2022)
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WSe2 n/p FETs を用いた低電圧動作CMOS インバータ
(シリコン材料・デバイス研究会 2022)
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Experimental demonstration of high-gain CMOS Inverter at low Vdd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs
(SSDM 2021 2021)
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Fabrication of top-gate MoS2 FET with transferred Al2O3 gate dielectric
(ECS 2019 2019)
もっと見る 学歴 (3件): - 2008 - 2011 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻博士後期課程
- 2006 - 2008 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻博士前期課程
- 2002 - 2006 職業能力開発総合大学校 電子工学科
学位 (1件): 経歴 (5件): - 2016/04 - 現在 東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所 助教
- 2015/01 - 2016/03 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 助教
- 2013/04 - 2014/12 日本学術振興会特別研究員PD
- 2011/04 - 2013/03 東京工業大学フロンティア研究機構 博士研究員
- 2008/04 - 2011/03 日本学術振興会特別研究員DC1
委員歴 (4件): - 2019 - 現在 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM), Program Committee Member : Area 8
- 2023 - International Workshop on Junction Technology 2023 Committee Member
- 2021 - International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 2021, Steering Committee Member
- 2019 - International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF) 2019, Steering Committee Member
受賞 (12件): - 2022/07 - 2022年度 末松賞「ディジタル技術の基礎と展開」支援
- 2021/06 - 第20回東京工業大学挑戦的研究賞
- 2016/03 - 第63回応用物理学会春季学術講演会ポスター賞
- 2014/03 - Best Poster Award at the Workshop on Future Trend of Nanoelectronics, WIMNACT-39
- 2013/06 - 第26回安藤博記念学術奨励賞
- 2012/09 - 第32回応用物理学会講演奨励賞
- 2012/09 - Best Paper Award at the 41th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC Conference 2011
- 2012/04 - 第11回船井情報科学振興財団船井奨励賞
- 2012/03 - 手島精一記念研究賞(博士論文賞)
- 2011/10 - Best Poster Award at G-COE PICE International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
- 2007/09 - 半導体理工学研究センター(STARC)シンポジウム2007学生優秀ポスター賞 (2007年)
- 2007/06 - 東京工業大学大学院物理電子システム創造専攻修士中間発表優秀賞
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所属学会 (3件):
IEEE Electron Device Society (EDS) member
, IEEE member
, 応用物理学会
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