研究者
J-GLOBAL ID：202001012719938838
更新日: 2024年12月23日 曲 勇作
マガリ ユウサク | Magari Yusaku
北海道大学 電子科学研究所
北海道大学 電子科学研究所 について
職名： 助教
競争的資金等の研究課題 (2件)：
- 2022 - 2026 半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出
- 2020 - 2022 酸化物半導体の低温固相成長制御による高性能フレキシブルデバイスの創出
- Yuzhang Wu, Prashant R. Ghediya, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta, Yusaku Magari. Thermopower modulation analyses of effective channel thickness for Zn-incorporated In2O3-based thin-film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
- Naoki Okamoto, Xiaoqian Wang, Kotaro Morita, Yuto Kato, Mir Mutakabbir Alom, Yusaku Magari, Mamoru Furuta. Uniformity and Reliability of Enhancement-Mode Polycrystalline Indium Oxide Thin Film Transistors Formed by Solid-Phase Crystallization. IEEE Electron Device Letters. 2024
- Prashant Ghediya, Yusaku Magari, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta. High-Mobility Indium Oxide Thin Film Transistors with High Reliability. ECS Meeting Abstracts. 2024
- Prashant R. Ghediya, Yusaku Magari, Hikaru Sadahira, Takashi Endo, Mamoru Furuta, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta. Reliable Operation in High-Mobility Indium Oxide Thin Film Transistors. Small Methods. 2024
- Yuzhang Wu, Yusaku Magari, Prashant R. Ghediya, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Hiromichi Ohta. High-mobility and high-reliability Zn-incorporated amorphous In2O3-based thin-film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 7. 076504-076504
- 曲 勇作, 葉 文昌, 古田 守. 酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用 (電子材料研究会 フレキシブル素子応用に向けた新規薄膜電子材料の合成と評価). 電気学会研究会資料. EFM. 2021. 2021. 1. 13-16
-
S. G.Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Yusaku Magari, Mamoru Furuta. Effect of Deposition Temperature and Source Gas Chemistry in PE-CVD SiO
2 Passivation on InGaZnO TFTs. AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings. 2018 - 古田 守, 戸田 達也, 辰岡 玄悟, 曲 勇作. 招待講演 フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 1. 53-56
- 曲 勇作, 戸田 達也, 牧野 久雄. プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用 : プラズマ処理時の基板バイアスの効果 (情報ディスプレイ). 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report. 2016. 40. 2. 41-44
- Y. Magari, S. Hashimoto, K. Hamada, M. Furuta. Low-temperature processed metal-semiconductor field-effect transistor with In-GaZn-O/AgOx Schottky gate. THIN FILM TRANSISTORS 13 (TFT 13). 2016. 75. 10. 139-144
-
High-mobility Indium Oxide Thin Film Transistors with High Reliability
(The Electrochemical Society (ECS) PRiME 2024 2024) -
高移動度酸化物TFTに関する最新の展開
(第8回透明酸化物光・電子材料研究会 2024) -
Strong Dependence of Solid-Phase Crystallization Atmosphere on the Performance of In2O3:H Thin Film Transistors
(Materials Research Meeting (MRM) 2023) -
多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ特性の固相結晶化雰囲気依存性
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023) -
High-Mobility Thin-Film Transistors with Polycrystalline In2O3:H Channel Deposited by Pulsed Laser Deposition under High-Base Pressure
(The 23rd International Meeting on Information Display (IMID) 2023)
- 2017 - 2020 高知工科大学 工学研究科 基盤工学専攻
- 2015 - 2017 高知工科大学 環境理工学群 マテリアル工学専攻
- 2011 - 2015 高知工科大学 環境理工学群 機能材料専攻
- 博士(工学) (高知工科大学)
- 2022/09 - 現在 北海道大学 電子科学研究所 助教
- 2020/10 - 2022/08 島根大学 総合理工学部 物質科学科 助教
- 2020/04 - 2020/10 高知工科大学 環境理工学群 助教
- 2024/03 - 現在 応用物理学会北海道支部 役員
- 2024/01 - 現在 International Meeting on Information Display (IMID) プログラム委員
- 2024/01 - 現在 応用物理学会 プログラム委員
- 2022/11 - 現在 薄膜材料デバイス研究会 組織委員
- 2022/09 - 現在 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) プログラム委員
- 2021/11 - 一般社団法人電気学会 優秀論文発表賞A 酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用
- 2021/11 - 第18回薄膜材料デバイス研究会 ベストペーパーアワード 高移動度水素化多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ
- 2020/03 - 高知工科大学 佐久間賞(学長賞)
- 2019/08 - The 7th International Symposium on Frontier Technology Outstanding Presentation Awards Origin of Schottky diode properties in InGaZnO/AgxO oxide hetero interface
- 2019/07 - 第14回応用物理学・物理系中四国支部学術講演会 講演奨励賞 酸化物半導体Schottky接合制御と金属半導体電界効果トランジスタ応用
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