廣木彰

Hiroki Akira

所属機関・部署：

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：半導体デバイス

競争的資金等の研究課題 (1件)：

論文 (57件)：

Ryo Takanishi, Akira Hiroki. Investigation of Threshold Voltage Definition for Nanosheet MOSFETs by Using Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2024. 144. 2. 82-87
Haruki Goto, Akira Hiroki. Analysis of In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As n-MOSFET Characteristics using Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2023. 143. 2. 159-164
Masashi Matsuda, Akira Hiroki. Analysis of Quantum Confinement in Nanosheet FETs by Using a Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2022. 142. 11. 1174-1179
Daiki Ito, Akira Hiroki. Examination of Quantum Potential Coefficient in Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2020. 140. 11. 1176-1181
Yuki Tamiya, Akira Hiroki. Mobility Model Parameters of Strained Si by Using a Quantum Drift Diffusion Model. IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems. 2020. 140. 11. 1171-1175

講演・口頭発表等 (21件)：

Gate Voltage Dependence of Quantum Electron Density Distribution for Nanosheet FETs
(The 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2022)
量子ドリフト拡散モデルによるInGaAsチャネルナノシート構造の電子密度分布解析
(令和4年電気関係学会関西連合大会 2022)
量子ドリフト拡散モデルによるナノシートMOSFETのしきい値電圧定義の検討
(令和4年電気関係学会関西連合大会 2022)
量子ドリフト拡散モデルによる積層ナノシート構造の解析
(令和3年電気関係学会関西連合大会 2021)
量子ドリフト拡散モデルによるInGaAs n-MOSFETの特性解析
(令和3年電気関係学会関西連合大会 2021)

所属学会 (5件)：

一般社団法人日本音響学会 , 一般社団法人電気学会 , 公益社団法人応用物理学会 , Institute of Electrical and Electronics Engineers , 一般社団法人電子情報通信学会

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廣木 彰