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所属機関・部署：
職名： 主任研究員
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
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国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター について
職名： 主任研究員
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
- 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 招へい准教授
- 2024 - 2029 炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築
- 2020 - 2025 ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明
- 2021 - 2024 SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減
- Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi, Hayato Iwamoto, Takato Nakanuma, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani. Comprehensive research on nitrided SiO2/SiC interfaces by high-temperature nitric oxide annealing formed on basal and non-basal planes. Japanese Journal of Applied Physics. 2025
- Takuma Kobayashi, Kaho Koyanagi, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Heiji Watanabe. Gate stress-induced mobility degradation in NO-nitrided SiC(0001) MOSFETs. Applied Physics Letters. 2024
- Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. 3D Van der Pauw Device for MOS Channel Characterization on 4H-SiC Trench Sidewalls. IEEE Electron Device Letters. 2024
- Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Mitsuru Sometani, Masahiko Ogura, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Daisuke Takeuchi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda. Impact of water vapor annealing treatments on Al2O3/diamond interface. AIP Advances. 2024
- 染谷 満, 大薗 国栄, 紀 世陽, 俵 武志, 森本 忠雄, 加藤 智久, 児島 一聡, 原田 信介. マルチエピ法及びトレンチ埋め戻しエピ法で作製した1.2 kV耐圧SiC SJ-MOSFETの性能比較. 電気学会論文誌C. 2024. 144. 3. 257-262
書籍 (3件)：
- 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術
S&T出版 2022 ISBN:9784907002930 - SiCパワーMOSFETに残された課題
公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2017 ISBN:9784863486393 - SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2016 ISBN:9784863485846
-
Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V and first-principles calculation
(20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023) -
トレンチ埋め戻しエピ法によるSiC-SJ-MOSFET開発
(ワイドギャップ半導体学会第12回研究会 2023) -
SiO2/SiC界面に存在するCダングリングボンド欠陥のエネルギーレベル
(先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022) -
Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces
(The 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 2022) -
Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
(IEEE ISPSD 2022 2022)
- - 2011 筑波大学 数理物質科学研究科 博士後期課程
- 2021/08 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 招へい准教授
- 2021/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 主任研究員
- 2016/04 - 2021/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究員
- 2011/04 - 2016/03 富士電機株式会社
- 2025/02 - 現在 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 実行委員(副委員長)
- 2024/10 - 現在 応用物理学会 2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2025) プログラム委員(副委員長)
- 2021/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 企画委員会 企画幹事
- 2023/02 - 2023/12 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会 実行委員
- 2022/10 - 2023/10 応用物理学会 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2023) プログラム委員
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- 2024/03 - Outstanding Reviewer Awards 2023 (Japanese Journal of Applied Physics)
- 2014/09 - 公益社団法人応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞 ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。
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