中払周

ナカハライシュウ | Nakaharai Shu

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (1件)：半導体デバイス、ナノエレクトロニクス、2次元物質、物性物理

競争的資金等の研究課題 (6件)：

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論文 (114件)：

Hao Gu, Moeta Tsukamoto, Yuki Nakamura, Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shinichi Ogawa, Yukinori Morita, Kento Sasaki, et al. Systematic characterization of nanoscale h -BN quantum sensor spots created by helium-ion microscopy. Physical Review Applied. 2024. 22. 5
S. Nakaharai, T. Arakawa, A. Zulkefli, T. Iwasaki, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Wakayama. Low-frequency noise in hBN/MoS2/hBN transistor at cryogenic temperatures toward low-noise cryo-CMOS device applications. Applied Physics Letters. 2023. 122. 26. 262102
Kento Sasaki, Yuki Nakamura, Hao Gu, Moeta Tsukamoto, Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shinichi Ogawa, Yukinori Morita, et al. Magnetic field imaging by hBN quantum sensor nanoarray. Applied Physics Letters. 2023. 122. 24
Shingo Genchi, Shu NAKAHARAI, Takuya Iwasaki, Kenji WATANABE, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Azusa N. Hattori, Hidekazu TANAKA. Step electrical switching in VO₂ on hexagonal boron nitride using confined individual metallic domains. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SG. SG1008-SG1008
Yoshitaka Shingaya, Amir Zulkefli, Takuya Iwasaki, Ryoma Hayakawa, Shu Nakaharai, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama. Dual-Gate Anti-Ambipolar Transistor with Van der Waals ReS ₂ /WSe ₂ Heterojunction for Reconfigurable Logic Operations. Advanced Electronic Materials. 2022. 2200704-2200704

MISC (16件)：

玄地真悟, 中払周, 岩崎拓哉, 渡邊賢司, 谷口尚, 若山裕, 服部梓, 田中秀和. ドメイン閉じ込めによるVO₂/hBNでのステップ電流スイッチ. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
中払周. 2次元原子膜光多値メモリー開発. 日刊工業新聞材料進化の最前線(NIMS最新成果88). 2021
中払周, バブル・マッカージー, 若山裕. 二次元層状物質を使った光多値メモリの開発. 月刊機能材料. 2021. 41. 1. 58-64
中払周, 森山悟士. Architectonics 機能を引きだすシート状物質が織りなす機能を探求する. NIMS NOW. 2018. 18. 6. 10-11
中払周, 飯島智彦, 小川真一, 八木克典, 原田直樹, 林賢二郎, 近藤大雄, 高橋慎, 黎松林, 山本真人, et al. 原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ. 信学技報. 2015. 115. 108. 93-98

書籍 (5件)：

Functionality-Enhanced Devices -An alternative to Moore's Law-
The Institution of Engineering and Technology 2018
カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線 : 製造・分離・分散・評価から半導体デバイス・複合材料の開発、リスク管理まで
エヌ・ティー・エス 2016 ISBN:9784860434564
カルコゲナイド系層状物質の最新研究
シーエムシー出版 2016 ISBN:9784781311661
グラフェンの機能と応用展望
シーエムシー出版 2012 ISBN:9784781310305
Electronic device architectures for the nano-cmos era : from ultimate cmos scaling to beyond cmos devices
Pan Stanford Publishing Pte. Ltd. 2009

講演・口頭発表等 (51件)：

2次元物質の新しいエレクトロニクス応用
((独)日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会第154回研究会 2022)
In-situ measurement of electron conduction modulation in graphene by helium ion beam irradiation
(応用物理学会 2018年秋季学術講演会シンポジウム「先端イオン顕微鏡技術のナノスケール材料・デバイスへの展開」 2018)
Application of transition metal dichalcogenide semiconductors to low-power consumption LSIs
(TU Aachen Friday Seminar 2018)
In-situ measurement of electron conduction modulation in graphene by helium ion beam irradiation
(2nd International HeFIB Conference on Helium and Emerging Focused Ion Beams 2018)
Carrier type control of transition metal dichalcogenide semiconductors for advanced CMOS applications
(2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF2017) 2017)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (11件)：

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委員歴 (5件)：

2022/04 - 現在マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議 (MNC) プログラム委員
2019/01 - 現在国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM) プログラム委員(Area 8)
2022/01 - 2023/03 GRAPHENE2022 International Scientific Committee
2019 - 応用物理学会学術講演会シンポジウム世話人
2019 - International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF) プログラム委員

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , 日本物理学会

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