研究者
J-GLOBAL ID：202101019290115902   更新日: 2024年09月15日

西村 知紀

Nishimura Tomonori
競争的資金等の研究課題 (7件)：
  • 2022 - 2025 二次元層状物質を用いた金属/Si,Ge界面のバンドアライメント決定機構の解明
  • 2018 - 2021 固体酸化物形燃料電池の低温動作化に向けた極薄電解質膜におけるイオン輸送機構の研究
  • 2017 - 2020 金属特性及び界面構造の制御による低抵抗金属/Geコンタクト形成に関する研究
  • 2013 - 2016 金属/半導体界面におけるフェルミレベルピンニングとその緩和機構に関する研究
  • 2010 - 2011 金属/半導体界面の終端効果とバンドアライメントの決定機構に関する研究
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論文 (122件)：
  • Tomohiro Fukui, Tomonori Nishimura, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. Single-Gate MoS<sub>2</sub> Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction. ACS Applied Materials & Interfaces. 2024. 16. 7. 8993-9001
  • Yih-Ren Chang, Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Tomonori Nishimura, Haonan Wang, Yubei Xiang, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, et al. Shift Current Photovoltaics based on A Noncentrosymmetric Phase in in-plane Ferroelectric SnS. Advanced Materials. 2023
  • Masaya Umeda, Naoki Higashitarumizu, Ryo Kitaura, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio. Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2021. 14. 12
  • Yih-Ren Chang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio. Thermodynamic Perspective on the Oxidation of Layered Materials and Surface Oxide Amelioration in 2D Devices. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. 2021. 13. 36. 43282-43289
  • Yuichiro Sato, Tomonori Nishimura, Dong Duanfei, Keiji Ueno, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Kosuke Nagashio. Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS2 and SnSe2: Exploration of n(+)-Source for 2D Tunnel FETs. ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2021. 7. 12
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MISC (6件)：
  • 李 秀妍, 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. Analytical formulation of interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 421. 1-4
  • 李 忠賢, 西村 知紀, 田畑 俊行, 王 盛凱, 長汐 晃輔, 喜多 浩之, 鳥海 明. Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2011. 110. 406. 9-12
  • 喜多 浩之, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. CMOSゲートスタック応用へ向けたGeO2/Ge界面反応の理解. 表面科学学術講演会要旨集. 2011. 31. 0. 172-172
  • 喜多 浩之, 王 盛凱, 李 忠賢, 吉田 まほろ, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2010. 110. 90. 55-60
  • 喜多 浩之, 王 盛凱, 李 忠賢, 吉田 まほろ, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上. 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会. 2010. 2010. 36. 7-12
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