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所属機関・部署：
職名： 特任准教授
競争的資金等の研究課題 (1件)：
論文 (23件)：
MISC (43件)：
特許 (1件)：
書籍 (6件)：
講演・口頭発表等 (59件)：
学位 (1件)：
経歴 (3件)：
受賞 (1件)：
所属学会 (2件)：
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金沢大学 ナノマテリアル研究所
金沢大学 ナノマテリアル研究所 について
職名： 特任准教授
競争的資金等の研究課題 (1件)：
- 2023 - 2026 金属ドープダイヤモンド成長の転位論と低転位密度結晶の創製
- Kan Hayashi, Kazuki Kobayashi, Madoka Katayama, Yuhi Kaneko, Kimiyoshi Ichikawa, Taro Yoshikawa, Tsubasa Matsumoto, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda. Formation of low-dimensional nanopit structures on atomically flat surfaces of diamond (111) by nickel nanoparticles. Applied Surface Science. 2024. 669
- Kimiyoshi Ichikawa, Tsubasa Matsumoto, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Norio Tokuda. Diamond Homoepitaxial Growth Technology toward Wafer Fabrication, Atomically Controlled Surfaces, and Low Resistivity. Accounts of Materials Research. 2024
- Tsubasa Kano, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Taro Yoshikawa, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda, Tsubasa Matsumoto. Fabrication of lateral diamond MOSFET with buried pn-junctions by diamond surface planarization based on carbon solid solution into nickel. Diamond and Related Materials. 2024. 147
- Yuki Matsushima, Mikiya Mura, Tsubasa Matsumoto, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Satoshi Yamasaki, Takao Inokuma, Taro Yoshikawa, Toshiharu Makino, Norio Tokuda. Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped films. Diamond and Related Materials. 2024. 145
-
Taro Yoshikawa, Hitoshi Asakawa, Tsubasa Matsumoto, Kimiyoshi Ichikawa, Akira Kaga, Shintaro Yamamoto, Ryosuke Izumi, Mitsuru Ohno, Tomoaki Mahiko, Mitsuteru Mutsuda, et al. CO
2 reduction by visible-light-induced photoemission from heavily N-doped diamond nano-layer. Carbon. 2024. 218
- Norio Tokuda, Tsubasa Matsumoto, Xufang Zhang, Kai Sato, Kazuki Kobayashi, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, et al. Recent advances in diamond MOSFET technologies. Abstract of APWS 2024. 2024
- K. Kobayashi, K. Sato, H. Kato, M. Ogura, T. Makino, T. Matsumoto, K. Ichikawa, K. Hayashi, T. Inokuma, S. Yamasaki, et al. Inversion channel diamond MOSFET with step-free Al2O3/diamond interface. Abstract of ICDCM2024. 2024
- Kimiyoshi Ichikawa, Kazuki Kobayashi, Tsubasa Matsumoto, Kan Hayashi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda. Growth mode, metal incorporation, and stress of homoepitaxial diamond (111) in hot-filament chemical vapor deposition. Abstract of ICDCM2024. 2024
- Tsubasa Matsumoto, Kai Sato, Yuto Nakamura, Tsubasa Yoshimoto, Toshiharu Makino, Hiromitsu Kato, Masahiko Ogura, Traoré Aboulaye, Kimiyoshi Ichikawa, Kan Hayashi, et al. Drift Layer-Free Diamond MOSFET for High Voltage Operation. Abstract of DIAMOND ELECTRONIC DEVICES 2024 - FRENCH JAPANESE WORKSHOP. 2024
- Kimiyoshi Ichikawa, Tsubasa Matsumoto, Kan Hayashi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda. HFCVD growth and stress of homoepitaxial diamond (111). Abstarct of DIAMOND ELECTRONIC DEVICES 2024 - FRENCH JAPANESE WORKSHOP. 2024
書籍 (6件)：
- ラマン分光スペクトル解釈事例集 第7章 第4節 CVDダイヤモンド中の転位の評価
技術情報協会 2022 ISBN:9784861048722 - 共焦点ラマンイメージングを用いたCVDダイヤモンド中の転位評価
2020 - ダイヤモンドpn接合によるベータボルタ電池のエネルギー変換効率向上
2020 - 熱フィラメントCVD 法による(1 1 1)表面への リンドープn 形ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長
ニューダイヤモンドフォーラム 2020 - Ir上ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの転位密度の低減
2018
-
Niへの炭素固溶反応を利用した3段階アニールによる ダイヤモンド(100)基板の表面平坦化
(第38回 ダイヤモンドシンポジウム 2024) -
貫通穴上のEpitaxial Lateral Overgrowthを用いたダイヤモンド(111)膜の転位密度の低減
(第38回ダイヤモンドシンポジウム 2024) -
ステップ・キンクを有するダイヤモンド(111)表面におけるCH系ラジカルの吸着・脱離の 理論計算による反応エネルギー解析
(第38回ダイヤモンドシンポジウム 2024) -
熱フィラメントCVD法を用いた ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜における成長モードと応力
(第38回 ダイヤモンドシンポジウム 2024) -
原子的に平坦なAl2O3/ダイヤモンド(111)界面を持つ p型反転層MOSFETの作製
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
- 博士(工学) (青山学院大学)
- 2025/01 - 現在 金沢大学 ナノマテリアル研究所 特任准教授
- 2022/07 - 2024/12 金沢大学 ナノマテリアル研究所 特任助教
- 2018/04 - 2022/06 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ワイドギャップ半導体グループ NIMSポスドク研究員
- 2014/09 - International Conference on Diamond and Carbon Materials 2014 U. S. Navy Award
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。
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