研究者
J-GLOBAL ID：202201019366096730   更新日: 2024年06月21日

大西 一生

オオニシ カズキ | Ohnishi Kazuki
所属機関・部署：
三重大学 半導体・デジタル未来創造センター

三重大学 半導体・デジタル未来創造センター について


職名： 助教
研究分野 (2件)： 結晶工学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (4件)： 光デバイス ,  窒化物半導体 ,  結晶成長 ,  半導体工学
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 2023 - 2026 p型GaN基板の実現に向けたHVPE成長技術の研究開発
  • 2020 - 2022 高性能GaN系素子作製に向けたハライド気相成長技術の確立
論文 (13件)：
  • Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm-3 grown by halide vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2024. 628. 127529-127529
  • Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate. Journal of Crystal Growth. 2024. 628. 127552-127552
  • Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current-voltage characteristic. Applied Physics Letters. 2023
  • Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Shun Lu, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 2022
  • Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates. Journal of Crystal Growth. 2022. 592. 126749-126749
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講演・口頭発表等 (51件)：
  • Recent Progress of Halide Vapor Phase Epitaxy for GaN Vertical Power Devices
    (The 9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9) 2024)
  • 低抵抗n型GaN基板作製に向けた高濃度Sn添加GaNのHVPE成長
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Effects of growth pressure on TMGa decomposition and carbon incorporation in GaN MOVPE
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023)
  • Lateral p-type GaN Schottky barrier diode using annealed Mg ohmic contact layer on low-Mg-concentration p-GaN
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023)
  • Thermodynamic analysis for halide vapor phase epitaxy of Sn-doped n-type GaN
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023 (ICNS-14) 2023)
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学歴 (3件)：
  • 2019 - 2022 名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
  • 2017 - 2019 東北大学 大学院工学研究科 応用物理学専攻
  • 2013 - 2017 東北大学 工学部 情報知能システム総合学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (名古屋大学)
経歴 (3件)：
  • 2024/04 - 三重大学 半導体・デジタル未来創造センター 助教
  • 2022/04 - 2024/03 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 特任助教
  • 2020/04 - 2022/03 独立行政法人日本学術振興会 特別研究員(DC2)
受賞 (4件)：
  • 2023/06 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞
  • 2022/03 - IEEE Nagoya Section Excellent Student Award
  • 2021/12 - 日本結晶成長学会ナノ構造エピタキシャル成長分科会 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会発表奨励賞
  • 2021/09 - 応用物理学会 第50回(2021年春季)応用物理学会講演奨励賞 HVPE法によって作製されたp型GaNの電気および構造特性評価
所属学会 (2件)：
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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