研究者
J-GLOBAL ID：202301021199374716   更新日: 2023年06月12日

山口 尚秀

ヤマグチ タカヒデ | Yamaguchi Takahide
所属機関・部署：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


研究分野 (1件)： 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (4件)： 半導体デバイス ,  ダイヤモンド ,  量子材料 ,  超伝導
競争的資金等の研究課題 (10件)：
  • 2022 - 2025 革新的ダイヤモンドエレクトロニクス創出のための高品質界面の形成
  • 2019 - 2022 h-BNヘテロ構造を利用した高移動度ダイヤモンドFETの創製と量子輸送現象の開拓
  • 2013 - 2016 高温超伝導を目指したダイヤモンドおよび関連物質の表面伝導電界制御
  • 2008 - 2012 スピン自由度を利用した電子相制御
  • 2010 - 2011 分子性結晶の電子間相互作用およびスピン自由度に起因する新規伝導現象の解明と探索
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論文 (145件)：
  • Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Chikara Shinei, Tokuyuki Teraji, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide. Charge stability of shallow single nitrogen-vacancy centers in lightly boron-doped diamond. Carbon. 2022. 192. 473-481
  • Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures. Nature Electronics. 2021. 5. 1. 37-44
  • Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Jun-ichi Inoue, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. Charge-carrier mobility in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors. Journal of Applied Physics. 2020. 127. 18. 185707-185707
  • Yosuke Sasama, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Masataka Imura, Shiori Sugiura, Taichi Terashima, Shinya Uji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, et al. Quantum oscillations in diamond field-effect transistors with a h-BN gate dielectric. Physical Review Materials. 2019. 3. 12
  • Taisuke Kageura, Masakuni Hideko, Ikuto Tsuyuzaki, Aoi Morishita, Akihiro Kawano, Yosuke Sasama, Takahide Yamaguchi, Yoshihiko Takano, Minoru Tachiki, Shuuichi Ooi, et al. Single-crystalline boron-doped diamond superconducting quantum interference devices with regrowth-induced step edge structure. Scientific Reports. 2019. 9. 1
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MISC (180件)：
  • 山口 尚秀. ダイヤモンド高移動度トランジスタ-特集 NIMS WEEK 2021研究者による最新成果. 金属. 2022. 92. 9. 926-933
  • 笹間 陽介, 山口 尚秀. hBNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. New diamond = ニューダイヤモンド / ニューダイヤモンドフォーラム 編. 2022. 38. 3. 20-25
  • 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 杉浦 栞理, 寺嶋 太一, 宇治 進也, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, et al. h-BN/ダイヤモンドヘテロ界面に形成される二次元ホール系の量子振動. 日本物理学会講演概要集. 2019. 74.2. 1088-1088
  • 笹間 陽介, 山口 尚秀. hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. 2019. 35. 9-15
  • 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの輸送特性. 日本物理学会講演概要集. 2018. 73.2. 1309-1309
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特許 (6件)：
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所属学会 (3件)：
ニューダイヤモンドフォーラム ,  日本物理学会 ,  応用物理学会
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