MIS型半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-138093
公開番号（公開出願番号）：特開2019-125771
出願日： 2018年07月24日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：

【課題】キャリア散乱を抑制して、高い移動度をもつダイヤモンド半導体によるMIS型半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】MIS型半導体装置101は、半導体層22がダイヤモンドからなる半導体を含み、絶縁体層23が窒化ホウ素を含む材料からなり、かつ絶縁体層が半導体層と導電体層24で挟まれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、前記半導体層はダイヤモンドからなる半導体を含み、前記絶縁体層は窒化ホウ素を含む、MIS型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/314

FI (2件)：

H01L29/78 301B , H01L21/314 A

Fターム (54件)：

5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC07 , 5F058BF06 , 5F058BF17 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BJ10 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA07 , 5F140BA04 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF15 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK26 , 5F140CA02 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC10 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC16 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンドトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-508329 出願人：エレメントシックスリミテッド
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-018138 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の作製方法及び水素処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-091040 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, アネルバ株式会社

全件表示

前のページに戻る