特許
J-GLOBAL ID：202103010181552197

MIS型半導体装置およびその製造方法

発明者：
山口 尚秀

山口 尚秀 について

, 
笹間 陽介

笹間 陽介 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-166729
公開番号（公開出願番号）：特開2021-044460
出願日： 2019年09月13日
公開日（公表日）： 2021年03月18日
要約：
【課題】ダイヤモンド半導体による移動度の高いMIS型半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体層22と絶縁体層23と導電体層24がこの順で積層されたp型のMIS型半導体装置101であって、半導体層は少なくとも絶縁体層と接する部分の一部が水素終端されたダイヤモンドからなり、閾値電圧が負電圧である。絶縁体層は、窒化ホウ素からなるのが好ましい。製造方法は、第1主表面が水素で終端された半導体層を形成することと、水素終端ダイヤモンド層に接して窒化ホウ素からなる絶縁体層を形成することと、絶縁体層の少なくとも一部の上に導電体層を形成することと、を含む。水素終端半導体層を形成すること、絶縁体層を形成すること及びその両者の間の雰囲気は、真空、水素ガス、不活性ガス及び不活性ガスが添加された水素ガスの何れかとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたp型のMIS型半導体装置であって、 前記半導体層は少なくとも前記絶縁体層と接する部分の一部が水素終端されたダイヤモンドからなり、 閾値電圧VTHが負電圧である、MIS型半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/04 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/27
FI (6件)：
H01L29/78 301B ,  H01L21/318 B ,  H01L21/205 ,  C30B29/04 V ,  C30B29/38 A ,  C23C16/27
Fターム (62件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077BE12 ,  4G077ED06 ,  4G077FF06 ,  4G077HA12 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045CA05 ,  5F058BC07 ,  5F058BC09 ,  5F058BD09 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF20 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BH02 ,  5F140AA02 ,  5F140AA05 ,  5F140AA30 ,  5F140BA04 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF17 ,  5F140BF25 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK26 ,  5F140BK39 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CC16 ,  5F140CC19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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