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所属機関・部署：
職名： フェロー
論文 (60件)：
学位 (1件)：
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住友化学株式会社 情報電子化学品研究所(茨城)
住友化学株式会社 情報電子化学品研究所(茨城) について
職名： フェロー
論文 (60件)：
- Hiroshi Ohta, Yoshinobu Narita, Shota Kaneki, Toshio Kitamura, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Shinichiro Takatani, Tomoyoshi Mishima. 6 kV GaN p-n diode fabricated by hybrid epitaxial growth with regrowth interface treated by CF4 plasma. Applied Physics Letters. 2025
- Takuya Maeda, Yusuke Wakamoto, Shota Kaneki, Hajime Fujikura, Atsushi Kobayashi. Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method. Applied Physics Letters. 2024
- K. Sano, H. Fujikura, T. Konno, S. Kaneki, S. Ichikawa, K. Kojima. Switching of major nonradiative recombination centers (NRCs) from carbon impurities to intrinsic NRCs in GaN crystals. Applied Physics Letters. 2024
- Masatomo Sumiya, Hajime Fujikura, Yoshitaka Nakano, Shuhei Yashiro, Yasuo Koide, Tohru Honda. Evaluation of defect density in bulk gallium nitrides by photothermal deflection spectroscopy and steady-state photocapacitance methods. Journal of Crystal Growth. 2024
- Masafumi Yokoyama, Fumimasa Horikiri, Hisashi Mori, Taichiro Konno, Hajime Fujikura. Fabrication of free-standing GaN substrates using electrochemically formed porous separation layers. Applied Physics Express. 2024
- Formation of InGaAs Quantum Structures by Molecular Beam Epitaxy and Control of Their Surfaces (北海道大学)
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