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J-GLOBAL ID：201702247765356923   整理番号：17A0953376

個々の界面トラップのエネルギー準位分布と電荷ポンピング理論における基本的改良

Distribution of the energy levels of individual interface traps and a fundamental refinement in charge pumping theory

著者 (2件)： TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  LENAHAN Patrick M. (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3  ページ： 031301.1-031301.6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは単一両性Si/SiO₂界面トラップのユニークで系統的な特性評価を電荷ポンピング(CP)法を用いて行った。その結果として,著者らは初めてこれらのトラップのエネルギー準位分布を得た。分布は以前に報告されたP_b0状態密度の分布と合理的に似ている。これらのトラップの本質的な性質(すなわち二つのエネルギー準位を持つトラップ),エネルギー準位,およびトラップ間のクーロン相互作用を考えることによって,著者らは簡便なCP理論を基本的に修正した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *表面準位 ,  *キャリア捕獲 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *捕獲中心 ,  *分布 ,  状態密度 ,  Coulomb相互作用 ,  *励起 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  *電荷ポンピング

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (50件)：

• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, IEEE Trans. Electron Devices 16, 297 (1969).
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. DeKeersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices 31, 42 (1984).
• P. Heremans, J. Witters, G. Groesenekn, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 36, 1318 (1989).
• N. S. Saks and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 11, 339 (1990).
• G. Van den bosch, G. V. Groeseneken, P. Heremans, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1820 (1991).

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面トラップ ,  エネルギー ,  電荷ポンピング ,  理論