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J-GLOBAL ID：201702252213497998   整理番号：17A0953453

電荷ポンピング電気的検出磁気共鳴の改善およびシリコン金属酸化物-半導体電界効果トランジスタへの応用

Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

著者 (3件)： HORI Masahiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  ONO Yukinori (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 1  ページ： 015701.1-015701.4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,電荷ポンピング電気的検出磁気共鳴(CP EDMR)またはCPモードでのEDMRを改善し,シリコン金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に適用した。CPプロセスのリアルタイムモニタリングは,高周波過渡電流が,EDMRの信号増幅の障害となることを示していた。そこで,カットオフ回路を導入し,Si MOS界面欠陥に対して,スピン数が10³以下という低い検出限界を得た。提案の改良した方法を用いて,CP EDMRが,CP法の最も重要な特徴の1つである分光法のための検出可能な界面欠陥のエネルギー窓のゲート制御を継承することを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *励起 ,  *磁気共鳴 ,  ケイ素 ,  金属酸化物 ,  *MOSFET ,  自動監視 ,  HF【周波数】 ,  電流 ,  信号増幅 ,  処理 ,  欠陥 ,  スピン ,  検出限界 ,  スペクトロスコピー ,  制御 ,  ゲート制御
準シソーラス用語： *電荷ポンピング ,  シリコン ,  *金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  リアルタイムモニタリング ,  高周波 ,  過渡電流 ,  カットオフ ,  界面欠陥 ,  分光法

分類 (2件)： 磁気共鳴,電子分光,その他の原子スペクトル  (BH03050U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (33件)：

• J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, IEEE Trans. Electron Devices 16, 297 (1969).
• G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. DeKeersmaecker, IEEE Trans. Electron Devices 31, 42 (1984).
• N. S. Saks and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 11, 339 (1990).
• G. Van den bosch, G. V. Groeseneken, P. Heremans, and H. E. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1820 (1991).
• M. G. Ancona and N. S. Saks, J. Appl. Phys. 71, 4415 (1992).

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷ポンピング ,  磁気共鳴 ,  シリコン ,  金属酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  応用