永瀬成範

ナガセマサノリ | Nagase Masanori

所属機関・部署：
職名：主任研究員
ホームページURL (1件)： https://unit.aist.go.jp/riaep/index.html

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (4件)：半導体デバイス , 量子井戸 , トンネル現象 , 超高速情報処理

競争的資金等の研究課題 (6件)：

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論文 (40件)：

Masanori Nagase, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu. Nonvolatile memory operations using intersubband transitions in GaN/AlN resonant tunneling diodes grown on Si(111) substrates. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 14. 145704-1-145704-12
Masanori Nagase, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu. Enhancement of nonvolatile memory characteristics caused by GaN/AlN resonant tunneling diodes. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023. 38. 4. 045011-1-045011-12
Shin Miura, Kenta Kurahashi, Keishiro Goshima, Masanori Nagase. Analysis of terahertz double dielectric structure patch antenna using nitride semiconductors. ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN. 2023. 106. 1. e12390-1-e12390-10
Masanori Nagase, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu. Growth and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes for High-Performance Nonvolatile Memory. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2021. 218. 3. 2000495-1-2000495-7
Nagase Masanori, Takahashi Tokio, Shimizu Mitsuaki. Switching characteristics of nonvolatile memory using GaN/AlN resonant tunneling diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58. 9. 091001-1-091001-6

MISC (15件)：

三浦進, 椋橋健太, 五島敬史郎, 永瀬成範. 窒化物半導体を用いたテラヘルツ帯二重誘電体構造パッチアンテナの解析. 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌). 2022. 142. 12. 1245-1252
椋橋健太, 永瀬成範, 三浦進, 五島敬史郎. FDTD法による窒化物半導体を用いたテラヘルツ帯パッチアンテナの解析. 2021年電子情報通信学会総合大会講演論文集. 2021
三浦進, 椋橋健太, 五島敬史郎, 永瀬成範. GaN系テラヘルツ受信器実現に向けたパッチアンテナ解析. 電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会. 2020
永瀬成範. 窒化物半導体デバイスの開発. 令和2年度文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム利用成果発表会. 2020
三浦進, 椋橋健太, 五島敬史郎, 高橋言緒, 永瀬成範. THz受信器応用に向けたNi/n-GaNショットキーバリアダイオード特性の評価. 第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集. 2020

特許 (8件)：

学位 (1件)：

所属学会 (2件)：

米国電気電子学会(IEEE) , 応用物理学会

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永瀬 成範