ダイヤモンド電子素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-230124
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084703
出願日： 2010年10月13日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されていることを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (8件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/786 , H01L 29/861 , H01L 29/16 , H01L 21/28 , H01L 21/205 , H01L 21/306

FI (10件)：

H01L29/48 D , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/91 F , H01L29/16 , H01L21/28 301B , H01L29/48 F , H01L29/48 P , H01L21/205 , H01L21/302 101C

Fターム (44件)：

4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB15 , 4M104DD79 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG18 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004AA14 , 5F004AA16 , 5F004DA23 , 5F004DB00 , 5F004EA38 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AE25 , 5F045CA19 , 5F045DA59 , 5F045HA05 , 5F110AA03 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK27 , 5F110HK34 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンドショットキダイオード並びにこれを利用したガスセンサ及び化学物質センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216267 出願人：株式会社神戸製鋼所
ダイヤモンド半導体及びダイヤモンド半導体デバイス並びにそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123370 出願人：学校法人東海大学
ダイヤモンド電子素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-041823 出願人：住友電気工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

全件表示

前のページに戻る